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RF MEMS开关由于其优异的隔离度和插入损耗，良好的线性度，在无线通讯、相控雷达方面有着广泛的应用。RF MEMS开关的可靠性是产业化的关键，本文针对直接接触式和电容式两种开关的可靠性进行分析研究，为RF MEMS器件更进一步的发展提供技术的储备。在分析直接接触式开关的电磁模型与机械模型的基础上，重点研究了影响接触式开关可靠性的接触电阻及功率等因素，通过Intellisuite软件分析了结构尺寸的变化对MEMS开关吸合电压、开关时间、回复力和接触力的影响。针对驱动电压较高的问题，提出通过改变梁的上下层Si3N4厚度，减小上翘弯曲角的方法降低驱动电压，此方法不需要改变开关结构，在有效降低驱动电压的同时开关的接触力与回复力下降较少，开关具有良好的抗粘附能力，仿真结果表明可有效提高开关可靠性。在分析、研究RF MEMS电容式开关可靠性失效机理的基础上，建立、分析了充电实验模型，根据RF MEMS开关的SEM数据，对开关的失效进行了分类，给出了一种弯曲型电容式RF开关设计，实现了低电压驱动，C-V测试验证了设计的有效性。本文对直接接触式和电容式两种开关的可靠性进行了初步的研究，取得了初步的进展，影响RF MEMS可靠性的因素是多方面的，RF MEMS开关的可靠行发展需要更多的研究和技术积累。