【摘 要】
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该文主要研究了利用超激光激发电光晶体和半导体P-N结产生超短电磁脉冲机理,并通过采用一种特殊结构的电光采样天线进行接收,作者们测得了脉宽为300为秒(10)的电磁脉冲辐射.
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该文主要研究了利用超激光激发电光晶体和半导体P-N结产生超短电磁脉冲机理,并通过采用一种特殊结构的电光采样天线进行接收,作者们测得了脉宽为300为秒(10<-12s>)的电磁脉冲辐射.该文分为两在部分:一、主要从理论上建立了飞超快激光脉冲照射电光晶体和半导体P-N势垒区所激发的超快电磁脉冲模型.二人验上验证了超快电磁脉冲辐射的存在以及若干特性,首次给出了一个普遍情况下的理论计算方法,用此理论方法,不需要将任意辐射场下产生的折射率二次方程村准化,在原主轴坐标系里直接将测量值△φ与辐射场强E<,0>联系起来.根据辐射场在晶体中分布和超快脉冲群速度失配,文章最后给出了探测器制作的尺寸要求.
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