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对氧化锌(ZnO)的研究已经历了数十年,且已经深入到各个领域。目前,ZnO的研究难点还是在于p型ZnO的制备,除此之外ZnO荧光增强、纳米结构的制备等也是当前研究的热点。本文在已有研究的基础上,对几个研究热点进行了再深入研究,主要包括p型ZnO掺杂的研究、ZnO荧光增强的研究以及基于ZnO纳米结构透明导电薄膜的研究。以Ag20和ZnS为掺杂源,使用电子束蒸发法在石英衬底上制备了Ag-S共掺p型ZnO薄膜,研究生长过程中充氧浓度对薄膜结构和电学性质的影响。制备的p型ZnO具有电阻率低、空穴浓度高的特点,其电阻率和迁移率的量级分别为10-2fΩ.cm和10-2cm2V-1s-1,空穴浓度的量级在1021～1022cm-3。并以制备的p型ZnO薄膜作为p区,以1.0wt%Al掺杂的ZnO作为n区,以纯ZnO作为本征区,制备出了ZnOp-i-n同质PN结,测试其伏安特性曲线后发现,ZnO同质PN结具有很好的整流特性。利用物理气相沉积设备制备了Al/ZnO:Al薄膜结构,对该结构的荧光增强特性进行了研究。当ZnO:Al薄膜表面覆盖一层金属Al岛薄膜后不仅可以使其带边荧光增强,同时在475nm附近处产生一个蓝光发射峰。通过在A1岛薄膜和ZnO:Al薄膜之间引入一层5nm厚度的Ta205绝缘层使ZnO:Al薄膜的带边荧光和蓝光发射分别增强4.5倍和24倍。对Al/ZnO:Al薄膜进行3000C退火处理后,其带边荧光峰和蓝光发射峰强度分别增强9倍和83倍。基于局域表面等离子体共振理论,计算了Al/ZnO:Al纳米岛状结构的散射截面和吸收截面曲线,计算结果很好地解释了实验观察到的荧光增强现象。使用水热合成法在ZnO:Al/Si衬底上生长出了沿c轴取向垂直排列的氧化锌纳米柱阵列,研究了水热生长温度对其结构和光学性质的影响。当反应温度为120℃时,ZnO纳米柱对垂直入射可见光的反射率低于10%,比ZnO:Al种子层的反射率(-20%)低,但对可见光波段的透过率达80%,具有高透低反的特点。