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本研究报告首先详细介绍了低温设备PPMS(Quantum Design)，以及各选件的测量原理。利用低温设备PPMS研究了化合物Zr0.25Hf0.25Ti0.5NiSn和Mn3X(NC)的低温比热、热导、热电势、电阻、磁化率等物理性质。主要结果如下：
Zr0.25Hf0.25Ti0.5NiSn属于半Heusler合金MNiSn系列，为窄带半导体材料，并具有优异热电性质。热电最优值ZT在室温附近达到0.094。该合金中，在M位置的多组元性质增加Ti与Zr(Hf，Sn)原子间的原子无序。该合金的电输运性质和热电性质受原子无序效应影响很大。同时，等电子同化学计量的半Heusler合金的电输运性质的差别也主要由于原子无序效应引起。
化合物Mn3ZnN在200K左右发生反铁磁顺磁磁性相变。而Ge少量掺杂的化合物Mn3Zn0.9Ge0.1N由于在X位置的无序效应，从而产生多铁磁磁性序。由于这些磁性相互竞争以及在X位置的无序效应，使该化合物出现在200K附近负热膨胀现象。
化合物Mn3SnC的比热和电阻说明该化合物在275K附近发生磁性二级相变，而Ge或者Si掺杂后的化合物Mn3(Sn0.7rGe0.3)C和Mn3(Sn0.9Si0.1)C在250K附近发生磁性相变。掺杂后在X位置引起无序效应对该类化合物的磁性相变有很大的影响作用。