【摘 要】
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随着半导体工艺技术的日渐发展,为了获得更高性能的器件产品,工艺技术的关键尺寸正逐渐减小,由此可以减小芯片占用的面积,降低功耗,运算速度更快,既提升了产品上芯片的性能,
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随着半导体工艺技术的日渐发展,为了获得更高性能的器件产品,工艺技术的关键尺寸正逐渐减小,由此可以减小芯片占用的面积,降低功耗,运算速度更快,既提升了产品上芯片的性能,又降低了制造成本。本论文基于国内8英寸生产线开发了0.13微米逻辑工艺技术,基于上海集成电路研发中心的铜互连工艺线开发出高性能金属互连工艺及高品质的电感、电容等无源器件工艺,提取精确的SPICE模型,并建立设计规则,使得设计公司可以依此工艺技术进行产品设计和生产。在使用0.13微米CMOS逻辑工艺的基础上,本课题还将重点开发以铜金属互连线制造的铜电感器件。片上集成无源器件是目前学界一个新的研究方向,铜电感器件与现有的CMOS工艺相兼容,并且品质因子较高。随着器件尺寸的减小,如何能使小尺寸的电感依旧在电感值和品质因子上具有好的表现,是目前的一个重点研究课题。在本论文中,将讲述几种不同图形和不同结构的铜电感的研究成果。
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