绝缘栅型光电导开关是一种新型光电导开关,该器件结构解决了传统宽禁带光电导功率开关的暗态漏电流问题,还保留了光电导开关开通快、抖动小和频率高等优点,在脉冲功率领域有很好的发展前景。绝缘栅型光电导开关的制程复杂,当前氮化镓工艺水平有限,因此本文在调研当前氮化镓制备工艺水平后,对器件结构参数进行了优化和可行性论证,并对深槽刻蚀等关键工艺工艺进行了深入的研究。本文首先调研了当前国内外氮化镓衬底、外延等工艺发展水平,根据实际加工中的工艺参数局限性对U沟槽绝缘栅型光电导开关的结构进行了重新设计,并结合仿真得出了具有可实施性的参数结构。其次,c轴自支撑氮化镓的镓面上的深槽刻蚀是该器件工艺流程中的难点和重点,因此开展了利用双层掩膜材料两次干法刻蚀的工艺实验研究,实现了超过5μm的刻蚀深度以及良好的刻蚀面粗糙度,刻蚀侧壁陡直度也较为理想。然后,为了降低c轴自支撑氮化镓镓面深槽刻蚀加工成本和侧壁粗糙度,提出了一种基于亚带宽功率激光脉冲对镓面预处理的KOH湿法刻蚀方法,并开展实验研究,验证了该方法生成六边形槽的可行性。最后,研究了氮化镓表面孔晕缺陷附近的拉曼光谱特性,发现了E2模式和A1(LO)模式拉曼频率偏移值的变化规律。以此规律为理论依据,提出一种能够提高氮化镓器件制备良品率的晶圆划片方案。