【摘 要】
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该文概述了半导体器件辐射效应的现状和发展,介绍了研究它的理论模型和模拟方法.作者利用Monte-Carlo方法分别研究了高能电子和质子在半导体材料和器件中的辐射效应.通过高能
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该文概述了半导体器件辐射效应的现状和发展,介绍了研究它的理论模型和模拟方法.作者利用Monte-Carlo方法分别研究了高能电子和质子在半导体材料和器件中的辐射效应.通过高能电子在球壳模型中的运动过程进行模拟,给出球壳和半导体材料中的能量沉积分布.进一步我们研究了集成电路常用器件MOS器件的辐射效应,得出了一些有用的结果.
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