本文从讨论CMOS的工艺局限出发，如氧化层击穿、差的跨导、衬底偶合和短沟效应等问题，阐述了采用CMOS工艺设计和实现RF C类PA的理论分析和电路技术。通过采用一些有效的电路设计技术来减小或消除这些局限对CMOS工艺实现RF功率放大器性能的影响，采用的电路设计技术主要包括：差分电路、层叠结构以及一种改进的谐振电路等方案。此外，为了减小S/D结面积，漏/源与衬底间的电阻和栅电阻，设计了一种晶体管单元版图，它采用了双端驱动栅极的方式，将栅电阻减小到标准版图晶体管的1/4。 为了得到一个最佳的初始设计参数，本文采用了傅立叶级数分解的办法来优化求解，而不是盲目使用电路仿真工具。这是因为CMOS C类PA的漏电流波形（取决于输入和输出电压波形）主要决定于一阶级数。 本文采用0.35-um CMOS工艺设计了一个1.75GHz，1.7W的PA，该PA可作为全集成发射机芯片的一部分集成到发射机芯片中。HSPICE仿真表明，所设计的C类PA的峰值效率达到40％，峰值功率达32dBm，满足DCS1800无线通讯系统规范要求的1W（相当于30dBm）的峰值功率要求，同时也满足的DCS1800规范频谱覆盖要求。