ZnO半导体材料因其在光电子和自旋电子器件等方面的巨大应用潜力，已经引起了人们的广泛关注。 本论文利用PLD(Pulsed Laser Deposition)技术在覆盖有SiC缓冲层的Si衬底上制备出ZnO薄膜，利用一些常规测试方法和同步辐射实验技术研究了SiC缓冲层对制备的ZnO薄膜结构、光学和电学性能的影响，另外，对PLD制备的Mn掺杂ZnO薄膜的结构和磁性也进行了初步探讨。主要的研究工作如下： 1.利用PLD方法制备了ZnO/Si(111)和ZnO/SiC/Si(111)薄膜，并结合微电子技术制备成紫外探测器。利用常规X射线衍射(XRD)技术、同步辐射掠入射X射线衍射(SRGID)技术、光致发光(PL)谱、Ⅰ-Ⅴ和光电响应测试手段，分析了SiC缓冲层对样品的结构、发光和电学性能的影响。结果表明，SiC缓冲层提高了ZnO薄膜的结晶质量，增强了其紫外发光峰的强度，并使得n-ZnO/p-Si异质结的整流效应和对紫外光的响应明显增强。SiC缓冲层一方面可以缓解ZnO和Si衬底之间由于大的晶格失配和热失配而导致的应力：另一方面，它还可以饱和Si衬底部分悬挂键，减少界面态，从而提高薄膜的结晶质量和器件的性能。 另外，我们还讨论了不同厚度SiC缓冲层对ZnO薄膜结构、发光和电学性质的影响。结果表明缓冲层厚度为38nm时，样品的性能较好。 2.采用PLD方法在Si(111)衬底上制备出Zn<,0.95>Mn<0.05>O薄膜。利用XRD和X射线吸收精细结构谱(XAFS)技术进行了结构表征。结果表明，Mn取代了Zn的位置，并导致了ZnO薄膜c方向的晶格常数变大，薄膜的结晶性变差。SQUID测量结果表明Zn<,0.95>Mn<,0.05>O薄膜具有低温铁磁性。通过对氧的X射线近边吸收谱(XANES)和光致发光谱的分析表明，薄膜中含有氧空位。结合BMP理论，我们认为样品的低温铁磁性可能与氧空位的存在有关。