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铁电材料基于其独特的物化性能及广阔的应用前景，已成为21世纪高新科技领域重要的研究热点之一。近年来，基于聚偏氟乙烯(PVDF)的铁电聚合物材料吸引了越来越多的关注。因为其具有突出的介电，铁电，压电，电热，热释电以及高能量密度等特性，能够覆盖到传感器，探测器，存储器，致冷器以及储能器等应用领域。二元铁电聚合物P(VDF-TrFE)(70/30，mol％)薄膜在经过特殊处理后，具有较高的结晶度和较高剩余极化强度，是广为人知的性能优秀的铁电聚合物之一。 基于此，本文利用溶胶，凝胶法结合旋涂法制备了P(VDF-TrFE)薄膜以及银纳米颗粒(Ag NPs)掺杂的P(VDF-TrFE)复合薄膜，并对其微观形貌、结晶特性、介电铁电特性以及光学性质进行了系统的研究，同时也探索了机械弯曲形变对P(VDF-TrFE)薄膜的电学性能调控，结合界面极化(interfacialpolarization)和挠曲电效应(flexoelectricity effect)理论对实验结果进行分析探讨。本论文主要进行了以下研究: 一、采用溶胶-凝胶法和旋涂法制备银纳米颗粒复合的P(VDF-TrFE)薄膜 利用溶胶，凝胶法制各AgNO3和P(VDF-TrFE)的混合前驱液，采用旋涂法将该前驱液均匀地旋涂于洁净衬底上得到AgNO3掺杂的P(VDF-TrFE)薄膜。将薄膜置于氮气氛中135℃退火4小时，炉冷后获得银纳米颗粒复合P(VDF-TrFE)薄膜。利用X射线衍射分析复合薄膜的物相组成，位于2θ=19.90°的衍射峰对应了P(VDF-TrFE)的铁电β(110，200)相，2θ=38.1°的衍射峰则对应Ag(111)相，证实银单质成分的存在。同时，原子力显微镜(AFM)表征的薄膜表面微观形貌观察到了银纳米球形颗粒复合于P(VDF-TrFE)薄膜基质中，且银纳米颗粒尺寸随前驱液中AgNO3的掺杂质量分数增加而增大，绝大多数的颗粒直径在5～20nm之间。 二、银纳米颗粒对P(VDF-TrFE)薄膜的电、光学性能的调控 银纳米颗粒复合P(VDF-TrFE)薄膜的剩余极化强度及相对介电常数随前驱液中AgNO3含量的增加而增大。当AgYO3掺杂质量分数为7.5％时，银纳米颗粒复合P(VDF-TrFE)薄膜的剩余极化强度最大，达到7.8μC/cm2，相较于纯的P(VDF-TrFE)薄膜的剩余极化强度5.6μC/cm2增加了38％左右，此时铁电性能达到最佳。当AgNO3掺杂质量分数从0％增加到10％时，复合薄膜的相对介电常数从9.3增大到13.7，与此同时，介电损耗始终保持在一个较低的水平。同时，我们在压电力显微镜(PFM)的测试中发现铁电薄膜的矫顽场随AgNO3掺杂质量分数增加而减小。银纳米颗粒嵌入P(VDF-TrFE)薄膜后，产生了额外的金属颗粒与聚合物基之间的界面，从而诱发的界面极化是导致这些显著的性能变化的主要原因。同时，银纳米颗粒在450nm波段附近的等离子激元共振吸收峰的峰值强度随AgNO3掺杂质量分数增加而增大。 三、机械弯曲形变对P(VDF-TrFE)薄膜电学性能的调控 将优质P(VDF-TrFE)铁电薄膜制备于聚酰亚胺柔性衬底上，利用机械弯曲形变实现了对薄膜铁电、介电以及热释电性能的调控。通过实验我们发现P(VDF-TrFE)铁电薄膜的剩余极化强度随正向弯曲形变量的增加而增加，其值从最大负向弯曲形变对应的6.14μC/cm2增至最大正向弯曲形变对应的6.87μC/cm2，即正向弯曲能够提高P(VDF-TrFE)薄膜的剩余极化强度，然而其极化翻转疲劳较未弯曲形变的样品更显著，这个负面的影响主要来自弯曲过程中产生的额外的电荷注入。我们同样考察了P(VDF-TrFE)薄膜的介电特性随弯曲形变的变化关系，对比了极化和弯曲形变对P(VDF-TrFE)薄膜介电常数和介电损耗的影响。在热释电压响应测试中，我们成功捕捉到了弯曲形变下P(VDF-TrFE)薄膜的热释电压响应，并且响应值同样随着正向弯曲形变量的增加而增加，从2.95mV提高到3.35mV。挠曲电效应较好地解释了这些现象，弯曲产生的应力梯度使得围绕在P(VDF-TrFE)碳链周围的氢、氟原子产生特定位置取向的偏转，造成薄膜内部的正负电荷不对称，从而引入一个额外的电极化。 总之，我们利用溶胶-凝胶法结合旋涂法成功制备了银纳米颗粒掺杂的P(VDF-TrFE)复合薄膜，通过银纳米颗粒掺杂以及机械弯曲形变对P(VDF-TrFE)薄膜的电、光学性能进行调控，在一定程度上提高了P(VDF-TrFE)薄膜的铁电性、介电性以及热释电性。