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CIGS（Cu（In，Ga）（Se，S）2）系薄膜太阳电池因其高的转换效率和较低的成本，现在越来越受到人们的关注。目前，几乎所有的CIGS电池都包含一个CBD-CdS缓冲层，而该缓冲层对电池效率的提高起着决定性作用。但是Cd有毒，会对环境造成很大的污染；而且CdS对太阳光谱的响应范围比较窄，采用宽带隙无公害的材料来替代CdS是必然趋势。很多研究证实，CBD-ZnS是目前最优秀的CBD-CdS缓冲层替代材料。但是CBD工艺本身有很多难以改变的缺点，而SILAR工艺不但继承了CBD工艺的所有优点而且在很大程度上弥补了CBD的不足。所以，本文通过对比两种方法制备ZnS薄膜的优缺点，希望能够证实SILAR工艺比CBD工艺更适合用作ZnS缓冲层的制备。至于SILAR工艺最终能否在电池生产线上替代CBD工艺，这还有待于后来人的不懈努力，本文只是初步探索。本文分别采用CBD和超声辅助SILAR工艺制备ZnS薄膜，并对两种工艺进行了优化，通过对比工艺原理以及薄膜的质量，我们发现以下结论：a．采用两种方法刚制备的薄膜均为非晶态，在空气中400℃以下退火，薄膜始终处于非晶态，当退火温度达到500℃时，薄膜转变为多晶ZnO；b．两种方法制备的薄膜的化学组成基本相同，但是SILAR薄膜的组分比CBD薄膜更接近化学计量比，CBD薄膜的氧含量更高；c．SILAR薄膜比CBD薄膜致密许多，而且颗粒大小及分布也更均匀；SILAR薄膜的透过率明显比CBD薄膜高，而且SILAR工艺对薄膜质量的控制也比CBD工艺容易；d．超声清洗可以大大提高SILAR薄膜的生长速率，从而改善了SILAR工艺沉积速率低的缺点。从已有的关于ZnS缓冲层的研究来看，薄膜的结晶状态和化学计量比对电池性能的影响并不明显，而薄膜的致密度和透过率则会决定电池的性能。所以尽管我们并没有将CBD工艺优化到最好，但是单从致密度、透过率以及制备工艺的控制能力方面来看，SILAR工艺的确比CBD工艺更适合用作ZnS缓冲层的制备。