在功率器件的制造中,广泛采用横向与纵向高压MOS管,利用其轻掺杂的漏端结构,完成耐压任务,达到应用于高压电路的目的。功率器件由于其较低的阈值电压与较高的击穿电压,可以用来完成从低压到高压电路的转换。另外,利用现有CMOS工艺制造的传统LDMOS工作,配合该电路的保护工作也是本文工作的一部分。高耐压的纵向MOS(VDMOS)管,导通沟道位于表面,漏端轻掺杂漂移区在纵向,需要采用底部工艺,完成底部的漏端接触。本文采用平面漏端结构,进行两次掺杂形成从芯片表面引出的漏接触,避免了底部工艺,降低了成本。为调节N型VDMOS的击穿电压,VDMOS单元内采用较小有源区间隔,将击穿区域转移到体内轻掺杂区结的拐角处,该处曲率半径较大,所以能有效提高击穿电压。根据以上结构制定新工艺,该工艺与常规P型LDMOS兼容。在完成针对高压管的结构与工艺设计后,为达到与现有CMOS工艺兼容的目的,改变传统LDMOS结构,通过调整漂移区与沟道区的形成工艺,在无需增加工艺步骤的前提下,达到较高的击穿电压。在针对CMOS工艺制作的高压器件的静电保护器件中,SCR(SiliconControlled Rectifier)结构由于其较强的耐压能力和较低的导通电阻,可用于有效保护输入输出节点和内部电路。由于SCR的触发是由PN结雪崩击穿引起,故触发电压可通过调节掺杂区浓度而改变。但SCR导通后,形成正反馈,其低导通电阻使得维持电压较难调节。论文通过在SCR内部加入特殊MOS结构与反馈回路,改变内部电阻的方式调节维持电压,在使用中无需加入额外的工艺步骤,达到较好的静电保护效果。论文工作所设计的两种新结构已经在上海ASMC公司的产品研发中得到应用。