氧化物神经形态晶体管及其光电调制研究

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晶体管技术越来越接近摩尔定律的极限,目前由大量硬件块组成的可编程逻辑器件(PLD),其结构复杂、能耗巨大。因此,设计单个电子元件具有可重构化逻辑编程以及神经形态计算能力,成为了延续后摩尔定律时代和发展人工智能的有力补充点。在各种神经形态设备中,电解质调控的双电层晶体管独特的界面耦合和电化学掺杂行为与生物突触活动高度吻合。因此,基于双电层薄膜晶体管构建神经形态工程,实现各种复杂的神经网络计算功能,逐渐成为了突破传统计算机中冯·诺依曼瓶颈的有效方法。本文先后设计了两种突触电子元件,第一种是以可降解材料聚乙烯醇为电解质制备了IGZO薄膜晶体管,讨论了其电学性能和光电逻辑存储;第二种采用新型有机材料离子型聚氨酯作为半导体层制备了I-PU神经形态晶体管,深入探究了其仿生突触功能。本文主要内容可以概括为:(1)聚乙烯醇电解质薄膜的制备及性能研究。采用旋涂法在单面导电聚萘二甲酸乙二醇酯(PET)衬底上制备出PVA电解质薄膜,通过表征的方式,测试出薄膜的双电层电容为~1.63μF/cm~2,质子导电率高达~6.8×10-4 S/cm。(2)IGZO双电层薄膜晶体管的制备及性能研究。利用射频磁控溅射技术在PVA电解质薄膜上沉积出IGZO沟道层和ITO电极层,使用Keithley-4200测试了IGZO双电层薄膜晶体管的电学性能,其电流开关比、亚阈值摆幅和载流子迁移率分别为~7.8×10~6、129.7 m V/Dec和23.1 cm~2V-1s-1。并且该薄膜晶体管具有着高柔韧性、高透光性以及可降解性。(3)IGZO薄膜晶体管的光电调控。实验测试了IGZO薄膜晶体管在不同光照强度下的电学性能,发现该晶体管具有着优秀的光敏特性。并结合两种独立的脉冲配置输入,设计单个晶体管完成了“AND”和“OR”两种不同的逻辑操作功能。此外,实验计算了完成单次“AND”逻辑操作过程器件仅消耗~0.58 n J,这样为今后设计新型柔性透明光电传感器以及简化可编程逻辑电路的设计提供了一种新的思路。(4)I-PU神经形态晶体管的仿生突触应用。实验以一种新型有机材料离子型聚氨酯作为半导体沟道层制备了神经形态器件,经过电学性能测试,证明了该晶体管具有基础的n型场效应晶体管的电学特性。同时i-PU神经形态晶体管在模拟仿生突触行为方面表现出极好的性能,实验成功模拟了兴奋性突触后电流、双脉冲异化、短期记忆、长期记忆以及经验学习等多种突触功能。最后,实验计算了晶体管在模拟单一突触功能时的具体能耗,发现由单一晶体管实现仿生突触功能仅消耗32 p J,远远低于CMOS电路模拟单次突触活动消耗的能量(900pJ/spike)。
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