SnO₂是典型的n型宽禁带半导体材料,具有负的电子亲和势。SnO₂具有优良的物理和化学性能,现已应用于太阳能电池、高温电子器件、气敏传感器、透明导电玻璃和平板显示器等领域。SnO₂纳米材料也成为目前一种很有应用潜力的场致电子发射材料。本文以SnO₂纳米结构为研究对象,采用化学气相沉积法、在不同的衬底上制备出不同的纳米结构,研究了催化剂对生长机制的影响,同时研究了纳米线和纳米带的场发射性能,着重研究了在氧气中高温退火处理对二氧化锡纳米线的场发射性能的影响。采用化学气相沉积法成功在镀有7nm厚金层的硅衬底上制备出致密的SnO₂纳米线,并在氧气气氛中对二氧化锡纳米线进行高温退火处理,研究了高温退火对纳米线阴极射线发光质和场发射性能的影响。对SnO₂纳米线进行了SEM、XRD、TEM、HRTEM、EDX表征,结果表明,我们所制得的SnO₂纳米线是单晶的四方金红石结构,在纳米线中存在氧空位,且氧空位浓度随退火温度的升高而降低,可见在高温下在氧气中退火可以改善氧空位浓度不足。从样品的室温阴极射线发光光谱中观测到一宽的橙光发射带,它主要来源于二氧化锡纳米线中的氧空位。研究发现,纳米线的场发射性能,随着SnO₂纳米线中氧空位浓度和SnO₂纳米线的功函数的减小而显著增强。这些研究结果表明,通过对二氧化锡纳米线在氧气中进行高温退火处理,可以极大的提高二氧化锡纳米线的场发射性能,从而更好地在场发射显示领域上发挥作用。采用化学气相沉积法成功在镀有10nm厚金层的硅衬底上制备出致密的SnO₂纳米带,对SnO₂纳米带进行了SEM、XRD、TEM、HRTEM、EDX表征。我们所制得的SnO₂纳米带是单晶的四方金红石结构,存在氧空位。研究发现,纳米带的场发射性能不如纳米线的场发射性能好,主要是由于纳米带的长径比小,其场增强因子小。在硅衬底上镀不同的金属做催化剂制备二氧化锡纳米结构,对其生长机制进行了相应研究。不使用催化剂,很难制备出二氧化锡纳米结构;使用Pt做催化剂,制备出的纳米结构种类很多,较难控制生长的纳米结构形貌;使用Au做催化剂,较易制备出纳米结构,且通过控制Au层厚度和生长时间就可以控制生长的纳米结构的形貌。不使用催化剂,制得的纳米带遵循VLS生长机制,Sn作为自催化剂,是一种自组装、自催化生长模式;使用Pt和Au做催化剂时的生长机制都是典型的VLS生长机制。催化剂对而二氧化锡纳米结构生长具有很大影响,使用Au做催化剂较容易制备出纳米结构,催化剂厚度影响纳米结构的生长方向,其厚度越大,生长的纳米线的直径越大,可以通过控制衬底上催化剂的分布和厚度来控制二氧化锡纳米结构的位置和尺度。本论文对二氧化锡纳米结构的制备、结构性质、生长机制及其场发射性能研究,取得了一定成果,仍需深入研究二氧化锡纳米结构的生长机制和场发射性能。