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硅(Si)基电子学和集成电路已成为当代发展电子计算机、通信、电子控制和信息处理等高科技领域的强大支柱,因此,硅基半导体电子产业已成为当今信息产业的主导。硅基发光材料能够充分利用硅集成工业发展起来的较为成熟的各种硅基纳米技术,并可以实现同硅基芯片工艺的兼容。因此,对该材料的发光特性研究已成为光电材料领域的研究热点之一。硅基材料能否高效率发光,决定着硅基材料能否在光电子领域中占据主角位置。然而Si属间接带隙材料,导带和价带的最低值不在K空间的同一点。根据K守恒原理,注入到Si导带底的电子与价带顶的空穴的