Al N在III族氮化物半导体中具有较大的直接带隙,室温下约为6.2e V,是重要的蓝光和紫外发光材料。Al N材料还具有热导率高、电阻率高、击穿场强大、介电系数小等优异性能,在高温、高频、大功率电子器件领域具有极大的潜力。一维Al N纳米材料具有着独特的电学、热学和力学性能,使其具有着更为广阔的应用前景。近年来,Al N纳米材料在场发射、光电探测器、深紫外LED等方面的应用备受关注。目前,现有的生长Al N纳米线的方法难以兼具高效、廉价、操作简单,制备可控,结晶质量高等优势。因此,高质量Al N纳米线的制备方法仍是研究的热点。本文采用优化后的气相外延法成功制备直径较小且均匀可控的Al N纳米线,实验中我们仅使用氮气（N₂）和Al蒸气作为前驱体,在蓝宝石（0001）面上生长具有六方纤锌矿结构的单晶Al N纳米线。通过调控生长温度、Ⅴ/Ⅲ比、生长压力、保温时间等参数来优化Al N纳米线的生长。用扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射（XRD）及高分辨透射电镜（TEM）对Al N纳米线晶体结构和表面形貌进行表征,选区电子衍射（SAED）和X射线衍射（XRD）测试结果显示Al N纳米线为单晶,具有六方对称性的纤锌矿结构。纳米线直径分布均匀,直径约为50nm,长径比能够达到1000。纳米线是按照VS与VLS机制进行生长。生长条件的变化会对纳米线的晶体结构产生较大影响,主要的影响因素是生长温度及Ⅴ/Ⅲ比。最后,我们对Al N纳米线进行了光学性能研究,分别测试了拉曼光谱（Raman）、光致发光光谱（PL）、透射光谱,并对纳米线中的应力及缺陷发光进行了分析。