近年来,无线通讯和CMOS工艺得到了很大发展,射频集成电路逐渐采用CMOS工艺实现。通信系统前端电路尤其是LNA必须具有低的噪声系数和高线性度,在低功耗的条件下实现这些要求是射频通信系统关键技术之一。低噪声放大器是整个接收系统的第一级,因此其增益、噪声、线性度等直接影响整个电路系统的性能。为了实现高可靠性和低成本的要求,电路需要更高集成度,因此射频收发机需要能够单片集成。移动通信系统中,接收机的性能常常受到供电电压的影响。因此本文采用了折叠共源共栅结构,可以在很低的电压下正常工作,并拥有较好的性能。在传统折叠共源共栅低噪声放大器中,两级之间采用直接相连的方式传递信号。由于共源输出阻抗和共栅输入阻抗很难直接达到匹配,这就使得信号在传递过程中被反射。基于这一考虑,本文详细分析了共源级栅漏电容的影响、共源级输出阻抗和共栅输入阻抗,并提出了PAI型级间匹配的设计方案,此优化结构能实现两级之间的共扼匹配,使信号的正向传输最大化,从而增大信噪比降低噪声。同时,带级间匹配的LNA一定程度上解除了各项参数的钳制,使得优化过程更加简单方便。本文采用0.18微米CMOS工艺,设计了一种低电压折叠共源共栅低噪声放大器。电源电压为1V。在工作频率2.45GHz时仿真结果显示:噪声系数为1.087dB,增益为22.535dB,一分贝压缩点为-11.746。功耗为10mW。