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目的探讨不同时程电针预处理对脑缺血再灌注大鼠血脑屏障MMP-9、VEGF的影响。方法(1)实验分组与处理：将64只SD大鼠随机分为模型对照组(16只)、假手术组(16只)、电针预处理7天组(16只)、电针预处理15天组(16只)。各组进行处理如下：模型组参照Zea Longa改良线栓法行MCAO模型制备；假手术组仅予以颈总动脉分离,不插线栓；电针预处理7天组和15天组针刺“百会”、“水沟”穴,连接HANS-100电针仪,频率2/15Hz,电流1mA,,每天1次,每次30min,连续电针预处理7天和15天,均在最后一次电针预处理24h后进行MCAO模型制备,缺血90min后行再灌注。模型组与电针预处理组于再灌注24h后行组织取材,假手术组于干预后24h取材。(2)激光多普勒组织血流仪监控脑血流：参照Zea Longa改良线栓法行MCAO模型制备前、后均使用激光多普勒即刻监测大鼠局部大脑中动脉血流量(以即刻局部大脑中动脉血流量下降至基值的45±10%为造模标准)。(3)指标检测：①血脑屏障MMP-9的检测：采用免疫组化法检测血各组大鼠脑屏障MMP-9阳性细胞表达数；采用荧光定量PCR法检测各组大鼠血脑屏障MMP-9mRNA表达。②血脑屏障VEGF的检测：采用荧光定量PCR法检测各组大鼠血脑屏障VEGFmRNA表达。结果(1)假手术组大鼠血脑屏障MMP-9阳性细胞呈弱阳性,模型组MMP-9阳性细胞较假手术组明显增多,差异显著(P<0.001)。电针预处理各组较模型组明显减少,具有显著性差异(P<0.01)。且电针预处理15天组与电针预处理7天组比较,差异有统计学意义(P<0.01)。(2)模型组大鼠血脑屏障MMP-9mRNA表达较假手术组明显升高,具有显著性差异(P<0.001)。电针预处理各组与模型组比较,差异显著(P<0.01)。且电针预处理15天组与电针预处理7天组比较,差异显著(P<0.01)。(3)模型组大鼠血脑屏障VEGFmRNA表达较手术组明显升高,差异显著(P<0.001)。电针预处理各组与模型组比较,均具有显著性差异(P<0.01),但电针预处理7天组与电针预处理15天组比较,有统计学意义(P<0.05)。结论(1)电针预处理7天组和15天组均可抑制脑缺血再灌注大鼠血脑屏障MMP-9阳性细胞及血脑屏障MMP-9mRNA、VEGFmRNA的表达,以电针预处理15天效果为佳。(2)电针预处理对脑缺血再灌注致血脑屏障损伤的保护作用可能是通过下调脑缺血再灌后血脑屏障MMP-9、VEGF表达实现的。