【摘 要】
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ZnO是一种宽禁带半导体材料,为六方晶体(纤锌矿)结构,与GaN的晶格结构相同,晶格常数(a轴)相差不大,热膨胀系数(垂直于c轴方向)十分接近.室温下ZnO的禁带宽度为3.37eV左右,具
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ZnO是一种宽禁带半导体材料,为六方晶体(纤锌矿)结构,与GaN的晶格结构相同,晶格常数(a轴)相差不大,热膨胀系数(垂直于c轴方向)十分接近.室温下ZnO的禁带宽度为3.37eV左右,具有60meV的激子束缚能,从而大大提高了ZnO材料的激发发射机制,降低了ZnO的激射阈值,其光泵浦紫外激光的获得使ZnO成为热门的新型光电材料.再加上ZnO薄膜制备简单,成本低,它可能成为继GaN之后的又一理想的光电材料.该文回顾了近年来ZnO薄膜自发辐射和受激辐射的研究进展,分析了不同波长发光的发光机制,报道了我们用射频磁控溅射法制备ZnO薄膜的制备方法、发光特性、发光机理以及制备条件、衬底种类和激发波长等因素对薄膜发光特性的影响.
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