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随着社会、经济的飞速发展，环境污染和能源危机日益严重，半导体光催化技术能解决环境污染，还可利用太阳能获得电能以解决能源危机，因而受到人们的广泛关注。TiO2半导体材料具有优异的光催化性能，在治理环境污染与能源开发等方面具有广泛的应用前景。然而，TiO2的光催化活性主要存在两大缺陷：(1)禁带宽度较大，依赖紫外光，对太阳光的利用率低；(2)光生电子-空穴对在跃迁到TiO2表面的过程中容易发生复合，降低了光催化活性。本论文针对上述两大缺陷，对TiO2半导体进行改性，从而改善其光催化活性。采用溶胶