白光LED的组装需要高效率的能被近紫外光或蓝光激发的荧光粉。本研究针对近紫外LED光转换的要求，研究了M₂SiO₄：Eu²⁺（M=Ba,Sr）和阴离子掺杂ZnO荧光粉的合成与荧光增强方法：[1]采用高温固相法制备了M₂SiO₄：Eu²⁺荧光粉，研究了助熔剂和稀土共掺杂提高产物荧光发射强度的作用和条件。结果表明：Ba₂SiO₄：Eu²⁺荧光粉的激发峰位于393nm，发射峰位于509nm，是Eu²⁺的5d-4f跃迁的典型发射。氟化铵是最好的助熔剂，Y³⁺、La³⁺的共掺杂有助于荧光强度的明显提高，最佳掺杂量为0.05(相对Ba²⁺的摩尔分数)；Sr₂SiO₄：Eu²⁺的最佳激发峰位于398nm，发射峰为490nm与560nm左右的双峰，Y³⁺的掺杂能明显强化发光，尤其是560nm处的发射峰强度。其最佳掺杂浓度相对Sr²⁺的摩尔分数为0.1。[2]以NH₄Br为助熔剂，在较低温度（～800℃）下的空气气氛中煅烧硫化锌合成了S^2-，Br^-共掺杂ZnO绿色荧光粉。采用XPS技术对该类ZnO荧光粉绿光发射的原因进行了探讨。认为S^2-，Br^-共掺杂将促进ZnO中氧空穴和锌空穴的形成，使光生电子从禁带中的这些局域缺陷中心跃迁至深陷阱的空穴而产生强的绿色发射。荧光强度的提高归因于NH₄Br的添加能促使更多氧空穴和锌空穴的形成。