本论文系统论述了CMOS电感电容压控振荡器的理论和实现方法，设计了一个2.4GHz电感电容压控振荡器。 　　本文首先介绍单端能量补偿系统分析方法，比较了不同类型负阻振荡器的性能特点，分析了相位噪声概念及目前主要的相位噪声理论。 　　在CMOS工艺中，高品质因数的片上电感实现是电感电容压控振荡器低相噪设计成败的关键。由此我们分析了CMOS工艺中片上螺旋电感的结构、实现形式、建模方法以及影响电感品质因数的物理原因。 　　针对电感电容压控振荡器中另一无源器件可变电容，我们论述了其在标准CMOS工艺下的实现形式及其品质因数与可调范围的折衷本质。 　　最后我们完整的分析和介绍了一个2.4GHz电感电容压控振荡器的设计方法及流程。根据电感仿真工具ASITIC的模拟结果分析了电感的金属宽度、间距、圈数对电感品质因数Q、自谐振频率Fsr的影响，定制了一个高品质因数的并联叠层结构片上螺旋电感；基于对电路中各个有源器件的分析，提出了一系列降低振荡器相位噪声的方法；同时揭示了设计中相位噪声与功耗、相位噪声与可调范围、起振条件与可调范围之间的折衷关系。仿真结果表明本文所设计的2.4GHz电感电容压控振荡器取得了良好的综合性能。