【摘 要】
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CoPt合金薄膜具有矫顽力高、磁晶各向异性常数大和良好的抗氧化性等优点而备受青睐并广泛应用于微电机系统的器件、磁头、读卡器和数据存储介质。近几年来，利用电化学沉积法制备CoPt磁性薄膜在许多国家已经开展并取得了不少成果，并发现此类钴铂合金薄膜在Pt含量基本在20at.%左右，且不需要经过高温退火就具有较高矫顽力。然而CoPt合金薄膜的成本毕竟较高，通过W元素的掺杂得到CoPtW磁性薄膜的矫顽力基本
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CoPt合金薄膜具有矫顽力高、磁晶各向异性常数大和良好的抗氧化性等优点而备受青睐并广泛应用于微电机系统的器件、磁头、读卡器和数据存储介质。近几年来，利用电化学沉积法制备CoPt磁性薄膜在许多国家已经开展并取得了不少成果，并发现此类钴铂合金薄膜在Pt含量基本在20at.%左右，且不需要经过高温退火就具有较高矫顽力。然而CoPt合金薄膜的成本毕竟较高，通过W元素的掺杂得到CoPtW磁性薄膜的矫顽力基本保持不变且降低了Pt的含量。元素Mo与W具有相似的化学性质都能与Co发生共沉积析出，而国内外对CoPtM
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