ZnO是一种新型多功能半导体材料,禁带宽度为3.37eV,激子结合能为60meV,具有光学性质,光催化性,导电性等诸多优越性能;MoS₂是一种新型半导体材料,有较高的载流子迁移率,高的比表面积,与金属有很强的附着性。基于众多优点,它们主要应用在传感器、光催化及发光二极管等领域。然而,ZnO作为一种光催化剂半导体材料仍然存在自身缺陷。因其禁带宽度较宽,仅能被短波长的紫外光激发对紫外光有较强的吸收而对太阳光的利用率比较低,催化效率相对较低。针对上述问题我们展开了研究,主要内容如下:（1）通过水浴方法合成多枝ZnO微纳结构。通过降解罗丹明B溶液研究ZnO微纳材料的光催化活性,结果表明ZnO降解罗丹明B溶液3 h降解率达到85%。同时研究了其光学性质。（2）采用水热法成功制备出MoS₂材料,研究了退火对材料晶体结构的影响。研究表明,800°C退火后的样品仍保持其原有的晶体结构。同时研究MoS₂光催化效率,结果表明MoS₂具有超强的吸附特性。（3）采用水浴法制备了MoS₂/ZnO复合材料,研究其光学性质。通过降解罗丹明B溶液研究MoS₂/ZnO复合材料的光催化活性,结果表明MoS₂/ZnO复合材料表现出更加优越的光催化性能。