【摘 要】
：
近年来,纳米薄膜材料以其特有的物质形态和性能广泛的应用到了现代科技当中,因此对于薄膜材料的研究越来越引起人们的关注。通常情况下,薄膜材料是通过生长而获得的,生长过程中所涉及到的复杂原子过程以及这些过程之间的相互作用关系对于薄膜的微观结构和性能有着非常重要的影响,因此从原子尺度来研究这些动力学过程有着重要的理论和应用意义。计算机模拟技术的不断发展,更是加强了薄膜生长的理论研究和实验分析间的相互指导作
论文部分内容阅读
近年来,纳米薄膜材料以其特有的物质形态和性能广泛的应用到了现代科技当中,因此对于薄膜材料的研究越来越引起人们的关注。通常情况下,薄膜材料是通过生长而获得的,生长过程中所涉及到的复杂原子过程以及这些过程之间的相互作用关系对于薄膜的微观结构和性能有着非常重要的影响,因此从原子尺度来研究这些动力学过程有着重要的理论和应用意义。计算机模拟技术的不断发展,更是加强了薄膜生长的理论研究和实验分析间的相互指导作用。本文在对薄膜生长中的微观原子过程和研究方法有了一定认识的基础上,参考现有模型,应用蒙特卡
其他文献
极化聚合物材料由于其优良的可加工性,高度的可剪裁性和优异的衬底兼容性等优点,以及近年来在光损耗、热稳定性等关键特性方面的突破性进展,使得极化聚合物电光材料在高速电光器件方面有着重要的应用前景。本论文针对制备高速电光调制器、电光开关的极化聚合物电光材料在理论和实验上进行了基础性的研究工作。搭建并校准了测量极化聚合物薄膜电光系数的简单反射法测试系统,首次提出在高频段测量电光系数的准确性。针对单层电光材
准确地确定作用于结构上的动态载荷,是工程领域开展工作的关键点,但是由于结构本身的复杂性以及实际工况的复杂因素,很多情况下动载荷不能够通过直接测量而得到,为此动载荷识别技术就显得非常重要。随着科学的进步,近年来动载荷识别技术发展较为迅速,已经出现了很多成熟的识别方法,但仍然有很多问题需要解决。动态载荷识别属于结构动力学第Ⅱ类反问题,即已知结构的振动响应和振动系统特性来反演作用在结构上的载荷时间历程。
本工作利用射频磁控溅射技术;;采用Ar和O_2混合气体分别溅射高纯ZnSe、ZnO、ZnS以及在ZnS靶表面固定高纯Cu丝的方法;;制备出非晶态Zn_xSe_(1-x)O_2、ZnO_(1-x)S_x和Cu;;S共掺的p型Zn_(1-y)Cu_yO_(1-x)S_x合金薄膜。通过改变Ar和O_2的流量比例改变合金薄膜的成份。研究发现非晶态的Zn_xSe_(1-x)O_2为电绝缘;;光学带隙为4～5
为改善能量的转换效率,并降低成本,科研者们提出了第三代太阳能电池的概念。第三代太阳光伏电池的目标是在第二代薄膜电池的基础上充分利用太阳能的全光谱,提高光电转化效率,并降低成本,并有利于环境保护和生态平衡。对传统电池而言,紫外光线要么直接被渗漏出去,要么被硅器件吸收,但转化的是热能而并非电能,这有可能影响电池的使用寿命。研究表明紫外线能够与尺度合适的纳米硅颗粒结合,使之转换为可见光,并产生电能。Mu
射流振荡气波制冷机作为一种膨胀制冷设备,是通过射流振荡器生成振荡射流对一端封闭的振荡管周期性的射气,利用激波和膨胀波的运动,来实现冷热分离,到达制冷目的。射流振荡气波制冷机的突出优点是无需输入外加能量并且没有转动部件,只需简单的静密封。目前,射流振荡气波制冷机的研究还不成熟,其等熵制冷效率较低,不能满足天然气的工业生产要求。本文采用数值模拟和实验测试的手段对以音波振荡器为振荡源的射流振荡气波制冷机
硼碳氮(B-C-N)作为一种新兴的人工合成三元材料,其优良的机械、电学和光学性能使其应用在许多工业领域如：硬盘保护、半导体器件等都有着广泛的应用前景。B、C、N三种原子的成键状态对薄膜的物理性能有重要影响,所以研究不同实验参数对BCN薄膜结构和成键的影响有着重要的意义。实验采用射频磁控溅射方法制备BCN薄膜,研究了沉积温度、氮气(N2)流量、以及不同靶材和基片的选择对BCN薄膜成键状态的影响。采用
钛酸镁(MgTiO3)和钛酸锌(ZnTiO3)都是非常重要的微波陶瓷材料。MgTiO3因为具有很高的品质因数(Q值)、较低的介电损耗和适中的介电常数倍受关注。同时ZnTiO3在微波频段内具有较低的介电损耗,而且烧结温度较低,可以用作制备银、铜电极共烧中温低介电损耗微波材料,但是烧结温度高会分解。目前,大多数研究都集中在提高MgTiO3和ZnTiO3陶瓷粉体的纯度和降低其烧结温度。为了进一步提高Mg
近年来,一种绿色分离技术—气体膜分离技术,以其高效节能特点,得到了迅猛发展。然而,以聚合物为基础的气体分离膜由于难以超越Robesen上限,限制了其在气体分离领域的广泛应用。炭膜作为一种新型功能炭基膜材料以其发达的可区分气体分子的纳米级超细微孔结构,优异的热、化学稳定性,在气体分离领域展现出巨大的潜力。但它的较高的制备成本给其大规模商业化应用带来很大的阻碍。因此,研究开发低成本、高性能的前驱体材料
氧化锌(ZnO)是一种宽带隙(室温下3.3eV)Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体,激子结合能为60meV,具有六方纤锌矿结构,其空间群为P63mc。晶格常数a=0.3249nm,c=0.5206nm。ZnO薄膜具有良好的透明导电性、压电性、光电性、压敏性、且易于与多种半导体材料实现集成化。由于这些优异的性质,使其具有广泛的用途和许多潜在用途,如表面声波器件、紫外光探测器、压敏器件、紫外发光器件、GaN蓝光薄膜
氮化镓(GaN)作为一种宽直接带隙(室温禁带宽度为3.39eV)半导体材料,具有电子饱和漂移速度高、热导系数高、介电常数小、化学性质稳定和热稳定性好等特性。GaN基器件已经广泛应用于半导体发光二极管(LED)、半导体激光器(LD)等光电子器件上,同时由于它还具有高的声波速率、很好的压电特性,又使其成为制备兆赫兹级声表面波器件(SAW)的理想压电材料。目前GaN薄膜主要是在蓝宝石(α-Al2O3)碳