Si/SiC纳米复合薄膜与热蒸发法制备Si纳米线的研究

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【摘要】

：

低维硅基纳米材料由于性能优越并且可以和现有的硅基平面工艺相兼容而具有很广泛的应用前景。本文对于两种低维硅基纳米材料——Si/SiC纳米复合薄膜和Si纳米线分别进行了制备方法、性能和机理的研究。通过射频交替溅射或共溅射的两种方式和后续的退火制备了Si纳米晶镶嵌在SiC基体中的Si/SiC纳米复合薄膜。交替溅射得到的多层膜结构的Si/SiC纳米复合薄膜在1200°C以上退火后出现了大约分别位于352

【作者】

：

贾士利

【机构】

：

天津大学

【发表日期】

：

2006年01期

【关键词】

：

硅基薄膜硅纳米线溅射热蒸发光致发光生长机制

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