钕铁硼（NdFeB）材料磁性能优异,在生产生活中广泛应用。然而,它具有多相组织结构,各相间电位相差极大,在高温、湿热和电化学环境中容易发生腐蚀,造成严重损失。金属表面硅烷化处理不含有害重金属离子,溶液能反复使用,是一种新型环保的防护选择。传统制备方法成膜动力不足,电化学辅助沉积技术（电化学sol-gel）有效促进了硅烷化膜的生长。目前,利用电化学sol-gel技术在NdFeB表面进行硅烷化防护的工艺及机理还未达成共识。论文主要采用电化学sol-gel技术在NdFeB表面沉积硅烷化SiO2膜、硅烷化有机膜和纳米TiO2/硅烷化有机膜,探索了不同因素（沉积电位、沉积时间、KNO3浓度、复合硅烷配比、纳米TiO2尺寸及浓度等）对膜形貌、结构和性能（尤其是耐蚀性能）的影响,优化膜制备工艺,初步探讨各种膜的成膜机理。主要结论如下:（1）硅烷化SiO2膜制备过程中,沉积电位的增加、沉积时间的延长、KNO3浓度的增大均有助于硅烷溶液的碱化和水解单体缩聚,促进NdFeB表面防护性硅烷化SiO2膜的形成。当沉积电位为-1.2 V,沉积时间为300 s,前驱体溶液中KNO3浓度为0.2 M时,SiO2膜与NdFeB基底结合良好、均匀完整,耐蚀性能较好,腐蚀电流密度最小。（2）硅烷化有机膜制备过程中,DTMS、TEOS两种硅烷按VDTMS:VTEOS=1:1复合制备的膜具有优异的防护性能。该比例下,两种硅烷以-Si-O-Si-化学键进行结合,形成三维网状的粗糙多孔结构,表面接触角为151.1°,具有超疏水性,腐蚀电流密度最低。（3）纳米TiO2/硅烷化有机膜制备过程中,掺杂适量纳米TiO2可以提高硅烷化有机膜的疏水性,减少膜层孔隙,增强硅烷化膜的物理屏障作用。在VDTMS:VTEOS=1:1硅烷溶液中掺杂50 mg/L、5 nm TiO2形成的膜,疏水性最好（接触角为156.9°）,腐蚀电流密度最低。TiO2浓度增加及尺寸增大,会导致其在硅烷化有机膜中分散不均而团聚,造成膜层接触角及耐蚀性能下降。