碳化硅（SiC）是当前最有潜力的宽禁带半导体材料，它具有热稳定性强、机械强度高、抗腐蚀、抗辐照等特性，且3C-SiC与Si工艺兼容，这使其成为制造高温压力传感器的理想材料。本文致力于研究工作温度能达到400℃的3C-SiC压阻式压力传感器，主要内容包括3C-SiC薄膜的生长以及其力学性能测试，传感器芯片结构与工艺的设计。本文首先用交替引入源外延(ASE)法来生长3C-SiC薄膜，这比常用的两步CVD法生长温度低，有助于改善薄膜的性能，可使在此薄膜上制备的传感器性能更好。采用纳米压痕法测量了3C-SiC薄膜的硬度和杨氏模量，接着用微结构法测量了3C-SiC薄膜的残余应力，其结果与用拉曼光谱分析法测量的结果接近。结果显示生长在（100）Si上的3C-SiC薄膜比生长在（111）Si上的3C-SiC薄膜的质量好，说明生长在（100）Si上的3C-SiC薄膜更利于制备高性能的传感器。接着对3C-SiC的压阻效应进行了研究，根据压阻式压力传感器的原理，在基于提高传感器性能的原则上，设计了传感器的芯片，包括弹性膜片和压敏电阻的设计。根据实际工艺条件，完成了芯片的版图与工艺设计，并实现了流片。