集成电路作为航空航天器件的主要组成部分，在外太空中将受到各种辐照效应的影响。其中集成电路的重要组成部分IO电路，由于大尺寸、高电压等特点，成为总剂量效应的敏感单元，但国内外许多研究机构NASA、ESA等针对地面辐照试验制定的标准和规范中，仅要求IO电路处于最劣偏置状态，而对于IO电路的最劣偏置条件没有明确的规定，为此本文的主要目的是介绍IO电路的总剂量效应及最劣偏置条件的分析。本文首先分析了深亚微米工艺下MOS器件总剂量效应的基本原理，得出总剂量效应将使器件的阈值电压、泄漏电流和亚阈值斜率等参数发生退化，可通过泄漏电流的失效来衡量器件受总剂量效应影响的程度，然后基于STI工艺下MOS器件泄漏电流的分析，对Ahmed A.Abou-Auf提出的CMOS集成电路泄漏电流失效模型进行改进得出STI隔离工艺下CMOS集成电路的泄漏电流失效模型，并利用该模型对IO输出缓冲电路的泄漏电流进行了建模仿真分析，得出其最劣偏置条件为(IIN,PIN)=(0,1)，(IEN,PEN)=(1,1)，最后通过Cadence Spectre仿真分析与SRAM总剂量辐照试验得出了与建模分析相一致的IO输出缓冲电路的最劣偏置条件，从而验证并得出IO输出缓冲电路的最劣偏置条件为(IIN,PIN)=(0,1)，(IEN,PEN)=(1,1)，同时验证了本文使用的建模分析方法的正确性，该方法同样适用于其它CMOS集成电路。