金属硫化物是一类十分重要的光电半导体材料，它们展现出优异的光响应性能，在诸如光催化、光伏效应（太阳能电池）、光探测（传感）器、光致发光、光学成像以及光学非线性等多个领域有着广泛应用。本论文主要以金属硫化物为研究对象，通过高沸点溶剂回流、溶剂热等液相制备方法，获得具有一维纳米结构的金属硫化物功能纳米材料（Bi2S3、CdS、ZnS），探索溶剂、温度、反应时间等实验因素对材料尺寸、形貌和性能的影响，特别是对其光电性能中的光探测性质进行研究和评估。具体研究内容和结果可概括如下：　　（1）重点研究了硫化铋（Bi2S3）均匀纳米棒的调控制备及其可见光光探测性能。研究以油胺与十二胺（己胺、辛胺）混合液为反应介质、氯化铋和硫粉（硫脲）为原料，利用回流法在150-200℃下合成出硫化铋（Bi2S3）均匀纳米棒，利用XRD，TEM、HRTEM和EDS等技术，表征和确定产物的结晶结构、尺寸、形状和化学组分。实验中将三种具有不同链长和配位能力的有机胺，即十二胺、辛胺、己胺，分别与相同量的油胺混合作为溶剂，制备Bi2S3纳米棒，对比研究发现，硫化铋纳米棒的长度有着明显区别，随有机胺链长的降低和配位能力的增强，纳米棒长度渐次增加，体现了溶剂对硫化铋纳米棒生长的重要影响。另一方面，在统一使用油胺和十二胺混合溶剂前提下，考察了反应时间、温度和硫源（硫粉、硫脲）对硫化铋纳米棒形状、尺寸的影响。研究过程中发现，Bi2S3一维棒状形状的形成具有较强的倾向性，这得益于其沿c轴各向异性生长的结晶学结构特性，HRTEM研究也证实了此种生长习性。重要的是，我们尝试进行了Bi2S3纳米棒的实验室批量制备，在原基础上放大40倍进行化学合成，并对产物进行XRD，（HR）TEM和EDS等结构、组分、形状表征，结果证实可以获得多克量级的Bi2S3均匀纳米棒（如4.8 g），丰富和发展了金属硫化物纳米材料的制备方法学。体材Bi2S3是具有禁带宽度（Eg）为1.3 eV的直接带隙半导体，室温下具有良好的光电性能。UV-Vis光谱研究发现，Bi2S3纳米棒在300-900 nm的宽波长范围内具有较强的光吸收，根据Kubelka–Munk公式计算出其Eg为1.89 eV。据此，我们构建了ITO/Bi2S3/ITO光探测器件原型，利用电化学工作站对Bi2S3纳米棒的在可见光范围内的光电性能进行了深入研究：I-V测试对比研究光、暗电流发现，光照条件下Bi2S3纳米棒传导性（即光电流）有着明显增强（约1-2个数量级）；时间依赖的光暗电流（I-t）曲线表明，Bi2S3纳米棒光探测器具有优越的光稳定性、光响应再现性和快速的响应时间（亚秒级）。论文还深入探讨了Bi2S3纳米棒光探测性能的内在机制，归因于光诱导下的空穴受限机制，这种机制往往发生在n型半导体材料中，而氧分子（O2）在纳米棒表面的吸附/脱附、氧负离子（O2-，吸附氧与电子结合形成）对空穴的受限态，增强了Bi2S3纳米棒表面的电子浓度，导致光辐射下的电导性的增加，体现在光电流的显著增强；同时，O2在表面的吸/脱附、氧负离子对空穴的受限态是一个可以快速重复的过程，是Bi2S3纳米棒光探测良好再现性的内在原因。该研究结果表明，Bi2S3纳米棒是性能优良的光探测材料。　　（2）CdS纳米棒、ZnS纳米带的制备及其光电、荧光性能。研究利用溶剂热法，以油胺和正丁胺（正己胺）为混合溶剂，以Cd(DDTC)2为单源前驱物，利用其溶剂热条件下的热分解，获得了直径在10 nm以下的CdS纳米棒。同时，以Ag2S为晶种，催化分解Cd(DDTC)2，回流制备出了高质量、高结晶的CdS纳米棒，其尺寸略大于溶剂热方法获得的CdS纳米棒，但制备温度要低于溶剂热方法。同样利用溶剂热法，以油胺和正丙胺混合液为溶剂，Zn(DDTC)2为原料，制备出结晶性良好的ZnS纳米带。论文考察了溶剂、温度、反应时间等因素对CdS纳米棒、ZnS纳米带生长的影响。运用XRD、TEM、HRTEM、EDS、Raman、PL等技术检测产物结晶性、晶体结构、形貌、化学组分、光致发光性质。此外，研究中构建了ITO/CdS/ITO、ITO/ZnS/ITO光探测原型器件，利用电化学工作站评估了CdS纳米棒、ZnS纳米带的光电性质及其光探测应用性。结果显示，光照情况下光电流相对于暗电流，无明显增强。研究认为，在所制备的CdS纳米棒、ZnS纳米带中，光激发的电子-空穴对会迅速复合（时间ns量级），电化学工作站无法在ns范围内探测到足够高浓度的荷电载流子，故而无法检测到CdS纳米棒、ZnS纳米带电导性的明显变化，即无明显光电流的增强。PL发光谱研究发现，CdS纳米棒、ZnS纳米带具有很强的光致发光性能，证实了电子-空穴对的迅速复合。