【摘 要】
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具有较宽带隙的Ⅲ族氮化物是制备蓝光到紫外光波段发光器件的理想材料,近十多年来成为人们研究的热点.具体来说,Ⅲ族氮化物包括AlN、GaN和InN,以及他们的合金,如InGaN、AlGaN
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具有较宽带隙的Ⅲ族氮化物是制备蓝光到紫外光波段发光器件的理想材料,近十多年来成为人们研究的热点.具体来说,Ⅲ族氮化物包括AlN、GaN和InN,以及他们的合金,如InGaN、AlGaN等.在GaN的发光二极管和激光二极管成功实现商品化的激励下,探索Ⅲ族氮化物的纳米颗粒在量子点激光器方面的应用逐渐成为人们下一个努力的方向.在该文中,我们利用高压直流脉冲放电的方法先后合成了InN和InGaN的纳米颗粒,并对其特性进行了研究.（一）系统回顾了半导体量子点理论,并根据理论结果对Ⅲ族氮化物纳米颗粒的玻尔激子半径和由不同程度的量子束缚效应引起的光谱蓝移量进行了计算.（二）通过对氮气,氨气和氮氨混合气体放电等离子体的光谱诊断,得到了有效产生原子态氮的实验条件,即当NH<,3>和N<,2>以1/9的比率混合时,在很宽的气压范围内,其脉冲放电等离子体中都能够产生较高含量的原子态的氮.（三）利用高压脉冲放电的方法,我们合成了InN纳米颗粒,其中在氮氨混合气体中得到了无氧InN的纳米颗粒.（四）观察到了InGaN纳米颗粒的受激发射行为,其发射波长位于380nm.
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