本文探索了提高坡莫合金(Ni_0.82Fe_0.18)薄膜的各向异性磁电阻（AMR）和磁性能，以适应其应用于高灵敏度磁头和传感器的途径。采用一种新的材料(Ni_0.82Fe_0.18)_1-xNb_x作种子层，用直流多靶磁控溅射设备制备了系列坡莫合金薄膜样品：(Ni_0.82Fe_0.18)_1-xNb_x（dnm）／Ni_0.82Fe_0.18（tnm）／Ta（3nm）（Ta为保护层），并对其磁阻回线、磁滞回线及微结构进行了测试。以实验结果为依据，分析了Nb原子的百分含量x和种子层厚度d对薄膜AMR和磁性能的影响及产生这种影响的可能机制，并与传统的种子层材料Ta作了比较。通过实验和测试分析，我们得到如下结论： （1）样品的AMR明显地依赖于种子层中Nb原子的百分含量x，先随x的增加先增大后减小，在x=27.1％处，AMR随x的变化曲线中出现一峰值；样品的AMR随种子层的厚度d的增加也是先增大后减小，在临界厚度d为5.32nm时达到一个最大值；与以传统材料Ta为种子层的坡莫合金薄膜相比，在坡莫合金层厚度t为10-45nm的范围内，前者的AMR值比后者提高了近10％-46％，如此高的AMR值未见过报道。 （2）沿样品易轴方向的矫顽力Hc₁比难轴方向的矫顽力Hc₂大，两者随Nb原子的百分含量x的变化是一致的，饱和磁化强度Ms随x的增大先增大后减小，在x=27.1％处，Hc₁和Hc₂都比较小，而Ms则达到最大；种子层厚度d不能明显改变坡莫合金薄膜的磁性能；与以传统材料Ta为种子层的坡莫合金薄膜相比，以(Ni_0.82Fe_0.18)_0.829Nb_0.271为种子层的坡莫合金薄膜的矫顽力只有轻微减小，但是Msg 以w讪Fq。t)lkNk为种于层的坡莫合全薄膜的各向异性戳电阻及磁性能研究 却要大，mk坡莫合金层厂度！的增加而增加，在坡莫合金层厚度t为处， 以帆。Fq．l’kwl为种于层的坡莫合金簿膜的 MS比以传统材料 Ta为种子 层的Ms提高了近20．／。 u)X射线衍射表明新的种子层材料帅．stFeo．：dl－xNbx使坡莫合金薄膜出现 了好的＊)结构和大晶粒现象，极大的改善了坡莫合金薄膜的微结构，这表明薄 膜都有好的陀性能。根据铡机制，太晶粒增加了坡莫合金簿膜的叩，减小了其 电阻率po，从而导致AMR的增大。 此外，对薄膜磁性随原子层数的变化作了初步理论分析，表明磁化强度随薄膜 厚度的减小而减小。这与实验预示相一致。 本文研究表明，以则句＂l－～x 18)1抓为种子层的坡莫合金薄膜有大的各向异性 磁电阻及好的磁性能，（。82Fcyls）14：Nb．是一种可能替代传统种于层材料Ta的新 的种子层材料。