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在学术和工业领域中,量子点发光二极管(quantum light-emitting diodes,QLEDs)被认为是最有发展潜力的显示器件,由于 QLEDs可以通过调节荧光量子点的尺寸而改变电致发光峰,并且较有机发光二极管(organic light-emitting diodes,OLEDs),QLEDs拥有较低的制作成本,更广的色域和更纯的色度,因此作为下一代固态光源具有很大的应用前景。但是传统的QLEDs器件采用有机物PEDOT:PSS作为空穴注入层(HIL),当器件处于空气中时,极易吸收空气中的水氧,导致 QLEDs器件的性能降低,影响其应用。而氧化镍(NiO)作为金属氧化物、能级深、在空气中稳定性高,并且NiO薄膜透光率高,空穴迁移率大。 本研究主要内容包括:⑴荧光量子点的优劣直接影响着 QLEDs器件的性能,因此我们通过热注入法合成了CdSe@ZnS合金量子点;随后对合成的量子点进行了透射电镜(TEM)的表征,发现量子点分散性良好、尺寸均一、平均粒径为3.1 nm;接着对CdSe@ZnS量子点进行了荧光的表征,发现量子点的量子产率为83.58%、荧光峰为523 nm、半峰宽为25 nm;并且当成核时间为10 min时,量子点的荧光峰可以从516 nm红移到531 nm;接着对量子点进行了紫外光电子能谱(UPS),结果表明量子点的价带为5.47 eV,因此有助于空穴进入到发光层,因此当CdSe@ZnS量子点作为QLEDs的发光层能时,能有效的提高器件的性能。⑵制备了高质量的NiO纳米晶,并且发现随着硬脂酸锂(LiSt)的量的增加,NiO纳米晶的平均粒径在减小,当LiSt的量从0 mmol-0.4 mmol内调节时,NiO纳米晶的平均粒径从5.7 nm-2.4 nm内改变;随后对NiO粉末进行X射线粉末衍射(XRD)的表征,发现NiO有五个衍射峰,而X射线光电子能谱(XPS)的表征发现O1s谱和Ni2p3/2谱和NiO标准谱基本吻合,同时对NiO纳米晶进行了UPS的表征,发现NiO的价带顶为5.85 eV,而且NiO薄膜透光率在524 nm时达到91.17%,在150℃退火时,空穴迁移率为30.56 cm2/Vs,这些表征结果都说明NiO纳米晶适合作为空穴注入材料。⑶构筑了CdSe@ZnS量子点作为发光层的绿光QLEDs器件,相比于红蓝器件,绿光器件的电致发光谱(EL)较光致发光谱(PL)红移的最小;通过优化条件,获得绿光QLEDs器件的最大亮度为54760 cd/m2;随后将器件的HIL替换成NiO纳米晶,最终构筑最大亮度为59188 cd/m2、寿命为58356 s的绿光QLEDs,较PEDOT:PSS为HIL的器件,其亮度增加了10%,寿命增加了8倍;因此NiO纳米晶作为QLEDs器件的HIL,能有效的提高QLEDs器件在空气中的稳定性,更有利于提升QLEDs器件的应用前景。