本文主要研究了两方面的内容:1.利用傅立叶红外光谱仪（FTIR）研究了CZ法制备的SiGe合金材料（单晶、多晶）的红外吸收谱图;2.研究了Ge浓度与SiGe合金热电转换性能的关系。 利用FTIR技术研究了CZSi中Ge浓度与杂质氧的关系,研究发现:Ge的掺入降低了Si单晶中的氧含量,与不掺Ge的Si单晶相比,降低了30～50%;Ge的掺入导致对应于Si-O-Si键的1106cm^-1吸收峰向低波数段漂移,并在1118cm^-1（10K下）波数处引起新的吸收峰;Ge掺入在710cm^-1、800cm^-1波数处引起红外吸收峰,峰的强度随Ge含量的增加而增强,且吸收峰的强度和波形不随测试温度的改变而变化;利用710cm^-1吸收峰的吸收系数a_max、半峰宽W_1/2和Ge浓度的关系,分别得到了室温下和10K下利用FTIR技术测定CZSi单晶中Ge含量的计算公式: [Ge]=1.429×10²⁰a_maxW（1/2）（atoms/cm³）室温 [Ge]=1.274×10²⁰a_maxW_1/2（atoms/cm³）10K 利用Seebeck系数测试仪、阶跃函数加热法热导率测试仪、激光脉冲热导率测试仪和四探针法研究了不同Ge含量的SiGe合金热电转换性能。实验结果表明:不同SiGe合金的Seebeck系数的绝对值大小一般在200—500 μV/K之间,随温度不同略有起伏,对于p型SiGe单晶,<100>晶向单晶的赛贝克系数为450-530 μV/K,<111>晶向的为325—400μV/K,表现出明显的各向异性;Ge的掺入使得SiGe合金的热导率与Si、Ge单晶相比,有明显的降低,且随温度升高,热导率单调下降;SiGe合金的电导率可以通过适当掺杂来控制,SiGe合金电导率随温度升高略有下降是因为载流子迁移率下降所致;实验结果得出在673K时,SiGe单晶的无量纲温差电优值（ZT）为0.0239,可以通过控制Ge含量和适当掺杂进一步提高ZT值。