SiGe合金相关论文
本文分析和计算了基区不同Ge含量的器件在碰撞电离和雪崩击穿效应下的电流和电压特性，结果表明，在其它参数相同的条件下，基区Ge含量越......
SiGe合金因具有较窄的禁带宽度、较低的热导率、高熔点而成为拥有良好发展前景的高温热电材料。常用的SiGe合金热电材料制备方法有......
SiGe合金作为新兴的半导体材料，在太阳能光伏电池、热电材料领域及半导体光电器件领域具有重要的作用。目前生长SiGe合金体材料的方......
SiGe合金是主要高温热电合金材料,由于SiGe合金固相线和液相线间距太大,合金熔体冷却时易出现偏析、甚至分相,且固相下Si、Ge元素......
考虑了重掺杂引起的禁带变窄效应,建立起少数载流子室温和低温模型,并进行了定量的计算。研究发现,p-Si1-xGex中的少子浓度(电子)......
本文介绍了一种新型光电子材料SiGe合金晶体,它是一种人工设计的硅基材料.其特点是按照Si和Ge的组分的不同,得到物理性质不同的半......
半导体材料的热电效应在温差发电领域存在着巨大的潜力,但如何提高材料的热电转化效率是目前研究探讨的热电问题.重点介绍了提高Si......
本文报导了用两种缓冲层生长技术研制的 Si1- XGe X/ Si异质结 pin型红外探测器。其波长范围为0 .70～ 1.5 5 μm,峰值波长为 0 .96～ ......
从固体模型理论的结果出发,计算了生长于Si(100)衬底上x值小于0.85的Si1-xGex合金材料(能带结构为类Si结构)的间接带隙与应变的关......
考虑了重掺杂引起的禁带变窄效应，建立起少数载流子室温和低温模型，并进行了定量的计算。研究发现，ｐ－Ｓｉ１－ｘＧｅｘ中的少子浓度随ｘ的增加而增加。在重......
本文利用喇曼光谱研究了使用快速热处理、超低压化学气相淀积方法生长的应变ＳｉＧｅ合金的微结构性质。俄歇电子能谱被用来测量ＳｉＧｅ合金中Ｇｅ的组......
采用真空熔炼和热压烧结法制备了掺P量为0．1％～0．3％的N型Si0．8Ge0．2固溶体合金，对样品进行了物相结构分析和微观形貌表征，并研究了掺P量对合......
SiGe合金热电材料作为一种传统的高温热电材料一直以来受到广泛关注。本研究通过B在球磨SiGe合金中的P型掺杂,有效增加了材料的载......
采用真空熔炼和热压烧结法制备了B含量为0．3％～０．72％的P型Si0．8Ge0．2固溶体合金，对样品进行了物相结构分析和微观形貌表征，并研究了掺B量对合......
本文介绍了一种新型光电子材料SiGe合金晶体,它是一种人工设计的硅基材料.其特点是按照Si和Ge的组分的不同,得到物理性质不同的半......
为了更好地发掘SiGe合金的热电转换性能的潜力,对几组不同的SiGe合金样品进行了性能测试,主要是对不同参数样品的Seebeck系数值进......
本文采用球磨工艺合成了SiGe合金粉末,结合放电等离子烧结制备出了掺杂GaP与P的N型Si80Ge20块体合金。利用XRD、SEM等手段对球磨粉......
以硅粉、锗粉为原料，用高能球磨法制备硅锗合金。采用X-射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）以及能谱仪（EDS）研究了粉体随球磨时间的物相转变过......
本文提出一种用Raman光谱测量SiGe合金膜中的锗组分及应变的方法,方法是非破坏的.并用这一方法测量了几种不同锗组分和膜厚度的SiG......
我们在硅锗合金衬底上采用氧化等制膜方式生成零维和三维的纳米结构样品，用高精度椭偏仪(HPE)、卢瑟福背散射谱仪(RBS)和高分辨率扫......
利用Ｇｅ的三维生长特性和迅速驰豫，在Ｓｉ衬底上形成有一定高度的岛状Ｇｅ层，继续生长不到２００ｎｍＳｉＧｅ合金就可获得较高质量的缓冲层。这种很薄的缓冲层用于......
Schimmel腐蚀液腐蚀结合高倍光学显微镜观察发现,不同尺寸的掩膜窗内生长的SiGe外延层中的位错密度在整个外延层中从SiGe/Si界面到......
以Si2H6和GeH4为生长气源，采用UHV／CVD系统在Si（100）衬底上生长了Sil—xGex合金和Sil—xGex／Si多量子阱结构。采用X射线双晶衍射仪、扫......
采用热等静压的工艺合成了掺杂GaP量为≤2．0％（摩尔分数）的N型Si95Ge5固溶体合金，对合成后的样品进行了物相结构分析及对微观形貌进行了......
根据体Si和体Ge的能带结构特点,基于形变势理论,计算了SiGe合金的应变对其能级的影响。静压应变导致能级偏移,单轴应变导致简并能......
采用高能球磨与放电等离子烧结相结合的方法制备出了单相Si80Ge20B0.6合金块体热电材料。在400～900K温度范围内对其进行了热电性能......
SiGe合金薄膜中的Ge含量及分布对材料的禁带宽度和制作器件的性能有十分重要的影响.本文用Li离子束卢瑟福背散射分析法对SiGe/Si和......
半导体材料的热电效应在发电方面有着巨大的应用潜力,但如何提高材料的热电转换效 率是目前人们研究探讨的热点问题.SiGe 材料的热......
本文主要研究了两方面的内容:1.利用傅立叶红外光谱仪（FTIR）研究了CZ法制备的SiGe合金材料（单晶、多晶）的红外吸收谱图;2.研究了Ge浓度......
热电材料是指可以将热能与电能进行直接相互转换的半导体功能材料。由热电材料做成的热电器件具有体积小、重量轻、无污染、无噪音......
热电转换元件是利用半导体Seebeck效应将热能转换为电能的温差发电器的核心部分,其转换效率的高低直接影响着温差发电器的性能。因......
本文对n~+pn~-n~+型SiGe基区异质结双极晶体管(HBT)在大电流下的频率特性进行了研究。建立了将Ge引入到集电区后异质结势垒效应(HB......
