碳化硅(SiC)半导体具有宽禁带、高热导率、高饱和电子漂移速度、高临界击穿场强、良好的化学稳定性等性能，在高温器件、高频器件、大功率器件等电子器件领域有广阔的应用前景。SiC晶体结晶质量的整体评价是研究物理气相输运法(Physical Vapor Transport，PVT)生长SiC晶体的组成部分。　　 本文采用PVT法生长了直径为2英寸的一个氮掺杂SiC晶锭和一个钒掺杂SiC晶锭。采用偏振光衬度像和光学显微面扫描技术系统研究了SiC晶体中结晶缺陷的分布和演化。偏振光衬度像技术可以分析SiC晶体中一些宏观缺陷和应力的分布及演化。微分干涉显微面扫描技术可以研究晶体中微观缺陷，并可以表征一些偏振光衬度像无法分辨的缺陷分布和演化。　　 采用高分辨X射线衍射（High Resolution X-ray diffraction，HRXRD）摇摆曲线面扫描技术系统研究了SiC晶体的摇摆曲线半高宽值的分布，结果表明半高宽值的分布可以直观反映结晶质量的分布，是一种有效的晶体结晶质量的整体评价技术。结合SiC晶体PVT法生长过程，我们认为高结晶质量籽晶是生长高质量SiC晶体的前提。　　 采用显微拉曼面扫描技术系统研究了SiC晶体中多种多型结构和自由载流子浓度的分布，表明显微拉曼面扫描技术是一种有效的晶体结晶质量的整体评价技术。结合SiC晶体PVT法生长过程，我们认为生长温度是SiC晶体生长中多型控制的关键参数。