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自2004年十月英国Manchester大学的康斯坦汀·诺沃肖洛夫(Konstantin Novoselov)和安德烈·海姆(Andre Geim)等人通过采用胶带反复剥离石墨的简单方法首次获得独立存在的石墨烯[1]以来,它以独特的电子结构和优异的电学性能迅速成为材料科学领域一颗耀眼的新星[2-5]。然而石墨烯的价带(π电子)和导带(π*电子)相交于费米能级处,使得石墨烯成为带隙为0的半导体,限制了它在纳米电子器件中的应用。本文采用第一性原理的密度泛函理论通过石墨烯和硅烯的表界面调控,来提高石墨烯和