SiC/Cu复合材料的应用前景十分广阔。它不仅具有优良的力学、电学、热学性能,而且制备工艺简单,生产成本较低,常用作半导体元件中的电接触材料和电子封装材料,也可用作耐磨片和热交换器等,是典型的“结构—功能一体化”材料。目前,增强相SiC和基体Cu之间较差的界面润湿性以及界面反应限制了SiC/Cu复合材料的性能提升和推广应用。所以,提升SiC/Cu复合材料的综合性能的关键,在于改善SiC和Cu的界面润湿性以及控制界面反应。本研究选用工业生产的微米级α-SiC颗粒,通过引入92SiO₂-8Cu₂O（wt.%）玻璃相改善增强相SiC和Cu基体的界面润湿性并且控制界面反应,以达到提升SiC/Cu复合材料综合性能的目的。采用溶胶-凝胶和湿法球磨法制备SiC/GP/Cu复合材料粉体,采用真空热压烧结的方法制备出结构均匀并且致密化程度较高的SiC/Cu复合材料。分别采用XRD、SEM等检测方法对复合材料的物相构成、微观结构、致密度、抗弯强度、硬度等进行表征,并深入研究了烧结温度和玻璃相含量对SiC/Cu复合材料的电学性能的影响。研究结果表明:铜硅氧化物玻璃相的引入,改善了SiC和Cu两相间的界面润湿性,并有效抑制了两相间的界面反应,SiC/Cu复合材料的致密化程度以及力学性能得到提升。在相同的烧结温度下,SiC/Cu复合材料的致密度、抗弯强度、硬度随着复合材料中玻璃相含量的增高而逐渐增大;在玻璃相含量一定时,SiC/Cu复合材料的致密度和硬度随烧结温度的升高而增大,其抗弯强度整体上随烧结温度的增大而升高,但是烧结温度800℃时复合材料的抗弯强度降低;玻璃相含量为9 wt.%,烧结温度为900℃的时,复合材料的综合性能达到最优值,其相对密度为99.81%,抗弯强度为470 MPa,硬度为1.85 GPa;SiC/Cu复合材料的高温电阻率受烧结温度的影响不大,但复合材料中玻璃相含量直接影响其电阻率的变化规律。在室温至400℃左右,无论SiC/Cu复合材料是否含有玻璃相,其电阻率都随着测试温度的升高而缓慢增大,表现为金属铜的电导特征;在400℃至550℃左右,含玻璃相复合材料的电阻率降低,电阻率变化曲线中出现凹谷,随后立即呈指数增大,并且复合材料中玻璃相含量越高,凹谷出现的起始温度越高,且此现象未在不含玻璃相复合材料中出现;测试温度在650℃左右时,复合材料的电阻率在一恒定值上下波动,且此现象与复合材料中是否含有玻璃相以及复合材料的烧结温度无关。