辅助图形(Assistant Feature, AF)和光学邻近效应修正(Optical Proximity Correction, OPC)已成为提高半导体可制造性不可缺少的技术,同时发展为电子设计自动化(Electronic Design Automation, EDA)框架中的重要组成部分。辅助图形技术利用光学原理在主图形附近加入无法成像的次图形,增强主图形对比度从而增加焦深(Depth of focus, DOF)进一步扩大制程窗口。OPC原先主要用来提高图像的解析度和图形的还原能力,现在也用在可制造性设计(Design for Manufacturability, DFM)中优化布局以提高芯片的良率。本论文目的在于提高基于模型的OPC(Model-based OPC, MOPC)的准确性的同时引入辅助图形技术来扩大制程窗口。选择辅助图形在确定工艺条件中至关重要,可以在建模之前将工艺窗口最优化。本文使用了简化的次分辨率辅助图形(SRAF)实现方法,在速度和准确性方面取得折中,获得工艺中可以接受的AF图形参数。传统OPC模型在建立时只关注目标尺寸最佳制程条件。因为没有足够的信息,所以当制程参数偏移时模型就变的不清晰,同时就不能准确地预测,需要重新建立模型。本论文提出了基于制程窗口的OPC模型,称为Process Window的OPC模型(PWMOPC)。PWMOPC的数学模型能够经受住制程参数在一定范围内的变化,确保修正后的光罩图形有足够的制程窗口。同时,当外部因素导致制程参数在工艺窗口内偏移时,设计的图形与硅片上的图形依然可以较好的吻合,不需要重新收集数据再建立模型,OPC流程的周期被缩短。