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半导体材料在光(电)催化领域中有着广泛的应用,它们的催化性能与其能带结构密切相关。例如对于光催化分解水来说,半导体的带隙大小以及价带顶导带底的位置在很大程度上决定了它的催化活性。所以,对半导体的能带结构研究有非常重要的意义。目前实验上对半导体能带结构的测定存在一些困难,例如单晶的合成等。而理论上对半导体能带结构的研究大部分只局限于表面,并没有考虑到真正的固液界面,但是大多数化学反应却又是在界面中进行的,因此,对于半导体表面的能带结构研究往往是不够的。基于上面问题,本论文采用基于密度泛函理论的分子动力