基于MOEMS技术的F-P光开关的设计与制作工艺研究

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该论文以研制用于WDM光通信系统的多层介质F-P腔结构光开关为目标,针对光开关的光学结构和力学结构设计进行了大量分析模拟,并对器件的整个制作工艺进行了实验工作,最终得到了完整的器件结构.论文首先论述了MOEMS器件在未来光通信系统中的发展前景,并着重介绍了基于F-P腔结构的多种MOEMS器件在光通信系统中的用途.其次,论文针对所选用的Si<,3>N<,4>/SiO<,2>材料的特性以及材料力学的原理,分析了器件中可移动结构的力学特性,对影响器件灵敏度和失效性的多种因素进行了模拟计算分析,最终确定采用复合膜制成的梁结构为器件中可移动结构,给出了综合考虑光学性能和力学性能来设计各层厚度的设计方法.最后,论文给出了光开关的版图、制作工艺流程以及测试系统的设计,并进行了完整的工艺制作研究,对其中的体硅腐蚀工艺和PSG牺牲层腐蚀及释放进工艺行了重点研究.该论文重点进行了基于MOEMS技术的多层介质结构F-P光开关的设计方法和工艺步骤的研究,提出了适合与IC工艺相结合的材料结构,并对整套生产工艺进行了摸索和总结,为今后在MOEMS领域更深入的研究奠定了基础.
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