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随着电子元器件朝着更小、更轻和更快的趋势发展，其集成化程度也急剧升高，伴随而来的是芯片发热量大幅增加，以及材料的受热变形，传统的Al和Cu等封装材料已无法满足其热性能要求，因此开发低膨胀、高导热封装材料成了一个必然趋势。本文以Cu为基体材料，以负热膨胀材料Sc2W3O12和低热膨胀材料SiC为增强相，采用粉末冶金法制备了Cu/Sc2W3O12和Cu/SiC/Sc2W3O12复合材料，并对所得复合材料的微观结构和热性能进行了详细表征。 本研究主要内容包括：⑴使用分步固相法制备的片状Sc2W3O12粉为原料，和Cu粉按不同质量比混合均匀后，压制成Φ10mm×1.5mm的圆片，通过常压还原气氛烧结制备出Cu/Sc2W3O12复合材料，通过扫描电镜（SEM）、X射线衍射仪（XRD）对其微观组织进行了表征，使用热机械分析仪（TMA）测定其热膨胀系数，用激光闪射仪（LFA）测量其导热系数。结果显示，复合材料热膨胀系数最小值为2.1×10-6/K，当温度高于600℃时，复合材料内部出现了Cu0.4W0.6合金相，为避免合金化，选择600℃作为复合材料的烧结温度，但低于高致密度Cu的烧结温度，导致复合材料致密度不高，导热也受影响，导热系数最大值为77.5W/(m?K)。⑵为提高复合材料的致密度，选用真空热压烧结制备Cu/Sc2W3O12复合材料，考察了Sc2W3O12颗粒形貌和烧结温度对复合材料微观组织、热性能的影响。结果表明，以纳米Sc2W3O12粉为原料，于700℃制备的*Cu60复合材料的致密度最高，达到92.44%，且Cu基体形成了均匀、完整的网络状结构，有利于热量的传导，相应的*Cu60复合材料的导热系数和热膨胀系数分别为243.99W/(m?K)和9.02×10-6/K，硬度也达到了234.32HV。提高烧结温度到800℃后，小颗粒Sc2W3O12出现了再结晶，*Cu60复合材料的热膨胀系数进一步降为7.27×10-6/K，接近于Si或GaAs等芯片材料的热膨胀系数值，致密度下降为91.6%，相应的导热系数也下降为208.64W/(m?K)，硬度下降为205.4HV，因考虑到封装材料对于低膨胀、高导热的应用要求，Cu/Sc2W3O12复合材料的最佳热压烧结温度为800℃。⑶为了进一步改善Cu/Sc2W3O12复合材料的热性能，引入纳米SiC颗粒作为第二增强相，采用真空热压烧结制备了Cu/SiC/Sc2W3O12复合材料，研究了SiC含量及烧结温度对复合材料显微组织和热性能的影响，结果表明，SiC增强相的引入提高了复合材料的致密化烧结温度，当烧结温度提高到1000℃，烧结进行充分，断口形貌显示为规则的韧窝断口，且复合粉体的两种增强相颗粒分布均匀；纳米SiC粉末的加入增加了烧结活化能，促进了1000℃时熔融态Cu的流动，复合材料的最大致密度达到了92.86%，相应的热膨胀系数和导热系数分别为13.33×10-6/K和251.18W/(m?K)，其热膨胀系数有些偏高，不符合应用要求，而1000℃烧结所得60%Cu10%SiC30%Sc2W3O12复合材料的热膨胀系数仅为7.12×10-6/K，相应的导热系数为230.60W/(m?K)，二者均满足封装材料的应用条件。