随着社会的不断发展，人们对于高频、大功率固态器件的需求也不断增加。但是由于第一代半导体和第二代半导体材料本身的限制，已经越来越无法满足这些需求。因此人们将目光转向了第三代半导体——宽禁带半导体，以GaN作为典型代表。GaN基的耿氏二极管由于能够工作在太赫兹频段而受到广泛的研究。本文介绍了太赫兹波的特点以及其典型的应用、GaN材料研究历史、GaN材料的特点以及优势、GaN耿氏二极管及其研究进展。总结了耿氏效应的基本原理、耿氏畴的形成以及GaN耿氏二极管的结构。重点研究了带notch区的GaN耿氏二极管的生长以及新型GaN耿氏二极管结构研究。主要研究内容：（1）采用自主研制的MOCVD系统生长了notch区不同位置的GaN耿氏二极管——DNL结构和UNL结构。（2）对所生长的两种GaN耿氏二极管结构进行了包括电阻率测量、AFM、SIMS、HRXRD、PL谱以及TEM测量，表征了两种结构的表面形貌、电子浓度分布、整体螺位错密度与刃位错密度、深能级受主缺陷密度以及渡越区局部刃位错密度，并对两种结构的测量结果进行了对比。（3）提出了一种新的GaN耿氏二极管结构——采用InAlN作为电子发射层。要求In组分为14%～22%，并且当In组分为17%或者18%时为最佳。综上，本文主要生长了两种不同位置notch区的GaN耿氏二极管，测量并对比了两种结构的GaN耿氏二极管的结晶质量，得到了DNL结构的结晶质量要优于UNL结构的结晶质量。还提出了一种新的GaN耿氏二极管结构——采用InAlN层作为电子发射层的GaN耿氏二极管结构。