随着激光技术的发展，光电子技术与产业的不断提高，半导体激光器的应用已经覆盖了整个光电子领域，是当前光电子科学的核心。808nm半导体激光器主要用于泵浦Nd∶YAG固体激光器或者制作成阵列来大大增加输出功率达到市场要求。由于作为泵浦源的半导体激光器要求具有功率大、阈值电流低、量子效率高等特点，传统的体材料激光器已经不能满足市场要求，从而作为半导体激光器发展里程碑的量子阱激光器成为现阶段半导体激光器研究的热点。量子阱激光器利用其极薄的有源区而产生量子效应的特点，极大地降低了器件的阈值电流，并且提高了激光器的输出功率和量子效率。　　 本文首先综述了大功率半导体激光器的发展及其应用，然后从理论上分析了大功率激光器的原理，接着设计了808nm半导体激光器的结构。通过理论分析和模拟仿真，得到有源区结构的材料和尺寸，即取InGaAlAs为量子阱材料，通过软件模拟仿真了In的组分变化对特征温度的影响以及量子阱厚度、特征温度和材料增益的关系，得出In取0.13，Al取0.12，厚度取10nm的结论。设计了其他外延层结构，模拟了不同波长的材料增益曲线，得出了在808nm左右波长处有最大增益的结论。经过工艺制作以及对散热部分的温度场模拟，获得了激射波长为808nm，输出功率为200W，光谱半宽为4.4nm，阈值电流为20A，电光转换效率为50％的准连续大功率半导体激光器，满足设计需求，达到了预期的目标。