【摘 要】
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该论文工作的目标是探索新的硅基短波长发光材料,尤其是紫外发光材料.取得的主要成果有:(1)首次在钝化多孔硅衬底上用聚酰亚胺LB膜高温热解法制得多孔3C-SiC/PS复合膜,并在室
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该论文工作的目标是探索新的硅基短波长发光材料,尤其是紫外发光材料.取得的主要成果有:(1)首次在钝化多孔硅衬底上用聚酰亚胺LB膜高温热解法制得多孔3C-SiC/PS复合膜,并在室温观察到500~550nm,他们认为此发光来源于纳米结构的3C-SiC.发光峰值能量高于3C-SiC的带隙,这可以用量子限制效应解释;(2)首次用纳米Si<,3>N<,4>作前驱物,在单晶硅衬底上制得纳米结构的4H-SiC,并在室温观察到了340~390mm的紫外发光峰.样品发光带能量高于或等于4H-SiC的带隙,当激发光波长变短,或前驱物中Si<,3>N<,4>浓度减少,或莫均匀性提高时,其发光位均向短波方向移动.这些特点表明样品的紫外发光与纳米结构4H-SiC的量子限制效应有关;首次用液溶相合成法制备非晶硅氧化合物,在室温下可发强紫外光,峰位在340nm,强度与多孔硅的红光发射带相当.样品发光特性的研究表明,340nm的紫外光发射来源于硅氧网络中的氧过量缺陷.以上三项工作均未见国内外报导,为制备多孔碳化硅、纳米结构的4H-SiC和硅基强紫外发光材料开辟了新途径.
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