【摘 要】
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用ECR CVD和MW-PCVD方法进行了金刚石薄膜的成核、生长的研究工作.用Raman、XRD、IR、SEM分析方法对样品进行了观测与表征.探讨了CVD金刚石沉积中的化学反应机理和金刚石的成
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用ECR CVD和MW-PCVD方法进行了金刚石薄膜的成核、生长的研究工作.用Raman、XRD、IR、SEM分析方法对样品进行了观测与表征.探讨了CVD金刚石沉积中的化学反应机理和金刚石的成核与生长机制.推导了气相化学反应的速率方程和生长动力学方程.分析了各种组分对化学反应速率和生长速率的影响.用ECR CVD工艺技术在Si衬底上生长出了多晶金刚石薄膜.系统地研究了工艺条件对薄膜质量的影响.用MW-PCVD工艺技术生长出了0.7mmx0.9mmx60mm的自支撑金刚石杆.该金刚石杆纯度高,结晶质量较好.探讨了Cu衬底上金刚石生长的机制.研究发现,在Cu衬底表面生成Cu<,x>-C<,y>-H<,z>三元合金相是实现金刚石成核与发育的关键过程.
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