从上世纪90年代剑桥大学的研究人员演示了采用PPV的电致发光开始，有机半导体就开始吸引了全世界大量的研究经费，风险投资，甚至诺贝尔奖，有机电子已成为一个新兴的、前景迷人的、具有巨大商业利益的朝阳产业。有机场效应晶体管(OFET)是有机电子器件家族中一类重要的器件，也是有机半导体的重要研究内容之一。由于它在有机显示器的有源驱动电路、有机传感器、存储器、射频身份卡(RFID)、电子书(E-book)或电子纸等领域具有良好的商业应用前景和价值，因而吸引了人们广泛的关注。同时，OFET器件是有机半导体材料性能研究的一个重要和有力的工具，所以OFET具有重要的研究价值。本文从器件发展历史，器件材料，器件理论，器件工艺，器件制备等方面进行了相关的研究。首先综述了有机电子学的发展概况，介绍了有机电子器件中几种关键的器件如有机发光器件(OLED)，有机光电探测器，有机单分子器件，有机传感器等，以及发展概况、目前现状等。回顾了OFET近20年的发展历史，重点介绍了有机集成电路的发展历程和概况，讨论了OFET目前存在的问题和研究热点。概括、总结和讨论了OFET器件结构的各种形式，包括四种通用型器件结构和一些特殊器件结构，分别综述和讨论了OFET器件制备中的各种材料，有有机半导体材料、电介质材料、电极材料、衬底材料等性能、特点和应用。对有机半导体材料的导电类型原理做了详细的研究。基于近十多年的研究，系统全面的介绍和研究了有机半导体载流子理论模型，推导了OFET器件的载流子分布形式和OFET电流方程，研究了OFET中场效应迁移率的意义和估算方法，讨论和研究了有机半导体和金属电极间接触电阻的产生原因，对器件特性的影响等。OFET相对于无机FET器件，其最大的优点在于低成本制备工艺，文中全面介绍和讨论了OFET制备工艺，包括应用传统硅工艺，如真空镀膜、光刻技术等，有机电子特有的溶液涂覆工艺，LB膜工艺，自组装工艺，印刷工艺等等的工艺原理、工艺过程和特点，另外还讨论了有机半导体单晶工艺在OFET中的应用特性。从材料特性，工艺流程设计、器件结构设计、材料选取等方面，设计制备了基于并三苯的有机场效应晶体管，采用扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线衍射分析仪、光学显微照相等手段研究了并三苯材料应用于OFET中各种成膜工艺及特性。引入了两种有机电介质材料——环氧树脂和聚酰亚胺，分别研究了其成膜工艺，介质特性和器件性能，探讨了制备低成本全有机OFET器件的可能性和可行性。设计了OFET特性测试装置，分别测试了并三苯OFET的输出特性曲线和转移特性曲线，根据器件理论分析了实验测试结果，给出了有益的结论。