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氢化纳米晶硅(nc-Si:H)薄膜是一种纳米颗粒镶嵌在非晶硅网络中的混合相结构材料，具备优异的光电性能，是第二代和第三代太阳电池的重要材料。特别是在硅基单结和叠层薄膜太阳电池中，研究制备具有高晶化率、高电导率、低激活能和较宽光学带隙的p型nc-Si:H薄膜对提高太阳电池的性能意义重大。热丝化学气相沉积(Hot Wire Chemical Vapor Deposition-HWCVD)具有无离子轰击、气源利用率高及沉积速率快等优点，有望同时实现掺杂nc-Si:H薄膜的高晶化率和高电导率。因此，本研究采用HWCVD制备p型nc-Si:H薄膜，运用Raman散射谱、紫外可见分光光度计、四探针方阻测试仪、霍尔效应测试仪、变温电导测试系统等手段，系统地研究各个沉积参数(灯丝温度、掺杂比例、氢稀释比、沉积气压)对薄膜微结构和光电性能的影响，并深入探讨其掺杂机理。结果表明：灯丝温度升高使薄膜的晶化率和平均晶粒尺寸增大，光学带隙增大，载流子浓度增大，此时硼掺杂浓度和晶化率的增大有利于电子隧穿，使得薄膜的电导激活能减小。过高的灯丝温度导致薄膜的晶化率和平均晶粒尺寸减小，光学带隙减小。B2H6掺杂比例提高会使薄膜非晶化，在薄膜吸收边的附近引入带隙态，使光学带隙变窄，此时载流子浓度增加，霍尔迁移率和电导激活能单调减小。当氢稀释比提高时，有更多的H原子覆盖薄膜生长表面，而且非晶成分被选择性刻蚀，因而薄膜的晶化率和平均晶粒尺寸增大，此时BH3粒子的化学吸附占主导，因而载流子浓度增大，而进一步提高氢稀释比，物理吸附占主导，载流子浓度略有减小。在本研究中，存在一个气压值为6Pa的临界沉积气压。临界气压以下，当沉积气压升高时，薄膜表面的H原子覆盖和SiH3粒子增多，薄膜的晶化率和平均晶粒尺寸增大；临界气压以上，当沉积气压升高时，薄膜表面的H原子覆盖减少，薄膜的晶化率和平均晶粒尺寸减小。另外，当沉积气压升高时，BH3粒子增多，但吸附方式从化学吸附逐渐变为物理吸附，因而载流子浓度先迅速增大后缓慢增大甚至减小。在此基础上我们成功制备出晶化率为67.6%，光学带隙为1.84eV，电导率高达40S/cm，电导激活能仅为13.5meV的优质薄膜。