一维结构纳米材料，包括纳米线、纳米棒、纳米管不仅可以作为纳米尺寸器件的功能组件或纳米器件之间的连接材料，还是研究一维纳米结构的光学特性、电学特性、磁学特性和热学特性等物理性质的理想体系。目前，一维结构纳米材料的制备已经非常成熟，人们尝试通过化学分子束外延法、化学气相沉积法等方法制备异质结构纳米材料。这些异质结构纳米材料具有优异的电输运和光学特性，在未来光电子领域具有广泛的应用。本论文以一维结构的单质SnO₂纳米材料的研究为基础，在此基础上研究ZnS/SnO₂异质纳米材料，并利用XRD、SEM、TEM对产物的形貌、结构进行表征和分析，Raman和PL研究其光学特性。1.超细SnO₂纳米线的制备、生长及光谱研究通过热蒸发法首次成功制备了超细的SnO₂纳米线。TEM表征结果表明SnO₂纳米线为单晶结构，带轴沿[010]方向，纳米线沿着[001]方向生长。Raman谱测量结果发现位于474、633和776cm-1的Raman峰分别为金红石结构SnO₂的Eg、A1g和B2g模。PL谱中观察到一个非对称的、较宽的黄色发光带，研究认为该黄光发射源于气相合成SnO₂纳米线过程中产生的Sn间隙或O空位所导致的附加能级。2.SnO₂量子点的制备和光谱分析利用水热合成法制备出了大量粒径均匀的SnO₂量子点，量子点的尺寸4-5nm。利用XRD、TEM对制备的SnO₂量子点进行了全面的表征和分析。在SnO₂量子点的Raman光谱上，观察到位于352,561,633和756cm-1四个明显的频移峰。其中位于633和756cm-1的Raman峰分别对应于A1g和B2g的振动模，位于352和561cm-1的频移峰为新的特征峰。分析认为这些新特征峰是与晶体方面表面积有关的表面振动模。同时,通过改变酒精和水的比例做了一系列实验。借助于XRD和TEM详细地研究了在不同条件下合成SnO₂量子点的形貌和结晶程度。3.ZnS/SnO₂异质纳米结构的外延生长及光谱分析采用二步合成法在ZnS纳米带上外延生长大量超细的二氧化锡纳米线。通过PL和Raman谱分别研究了单质SnO₂、ZnS和ZnS/SnO₂的光学特性，并且进行了对比。发现ZnS/SnO₂纳米结构的Raman光谱曲线以及PL图谱均与SnO₂纳米线的相似，分析认为SnO₂纳米线吸收了绝大多数光子，因而能够到达ZnS纳米带上的光子数很少，所以观测ZnS/SnO₂纳米结构的Raman光谱以及光致发光图谱均表现出单质SnO₂纳米线的特征。