基于锆钛酸铅(PZT)和MEMS工艺的射频天线研究

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随着微电子技术的发展,SOC(System On a chip)成为下一步科研和生立的目标.将天线和其他射频器件集成在一个芯片上可以提高信号的处理速度,同时可以进一步缩小整个个人移动系统的体积.同时当用微电子的工艺来生产这种集成系统时,可以通过批量生产进一步减少系统的成本.由于射频段天线的尺寸远大于传统IC和MEMS工艺尺寸,因此无法全部采用硅基材料.锆钛酸铅(PZT)这种铁电材料具有很高的介电常数,很好的压电性能,在许多的领域都得到了应用,目前基于锆钛酸铅的FERAM的工艺已经十分成熟.利用PZT良好的介电特性,可以给设计者广阔的空间.该论文提出一种工作于800M~4GHz的基于PZT材料的射频天线结构设计和工艺设计.在制造PZT厚膜中,采用了流延成膜工艺和丝网印刷工艺.天线设计采用了UCPBG(平面光子带隙)结构控制天线的频段和亏损.论文分析了天线的整体特性和主要性能指标.介绍了不同PZT厚膜的制备工艺,对不同工艺条件进行了分析,归纳出目前PZT厚膜制备的工艺条件.其中针对具体的流延工艺,确定了种子层的作用,烧结的温度和曲线.结合烧结出的结果进一步确定了工艺的参数.论文介绍了平面光子带隙(UCPBG)在天线电小化中的作用,分析了其优越性,结合PZT介质基板的特点,给出天线UCPBG结构的具体设计数值.针对具体流水的天线,分析了实验的结果.
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